【 公募枠：（１）拠点研究開発 】 

研究開発課題名	次世代半導体微細加工の基盤技術研究開発
研究代表者	緑川　克美
研究代表機関・役職	理化学研究所 光量子工学研究センター　特別顧問
研究開発概要	本研究開発では、我が国においてEUV露光に関連する最先端の技術を有する機関と人材を結集し、次世代半導体技術の更なる発展に不可欠とされる革新的基盤技術の研究開発を推進します。具体的には、将来のEUV光源に必要な高出力で高効率な新しいレーザー光源と、大口径で高精度なミラーの加工と成膜技術、そして後工程に必要とされるレーザー微細加工において、これまでの技術を大きく凌駕し将来キーテクノロジーとなり得る革新的技術の確立を目的とします。

 【 公募枠：（２）ＥＵＶ露光用次世代革新光源の開発 】 

研究開発課題名	革新的な次世代EUV露光用光源の実現を目指した自由電子レーザーの基盤技術開発
研究代表者	本田　洋介
研究代表機関・役職	高エネルギー加速器研究機構 応用超伝導加速器イノベーションセンター　准教授
研究開発概要	本研究開発では、加速器技術を利用して、現在の半導体関連企業が有する光源技術の延長線上に無い、新しい光源技術を開発し社会実装を目指します。具体的には、超伝導加速空洞を用いたERL（エネルギー回収型線形加速器）にFEL（自由電子レーザー）発振技術を組み合わせることで、高効率で高出力のEUV光源（ERL型EUV-FEL）を開発します。

 【 公募枠：（３）光源、光学系、材料系、計測技術等の要素技術開発（フィージビリティスタディ） 】 

研究開発課題名	量子エリプソメータを用いたイオンスパッタ法によるＢＥＵＶ反射多層膜鏡の開発
研究代表者	江島　丈雄
研究代表機関・役職	東北大学 国際放射光イノベーション・スマート研究センター　准教授
研究開発概要	次世代半導体露光用の動作波長6.XnmのBEUV（Beyond Extreme Ultra-Violet）光学系には、反射多層膜を利用した反射光学系が使われます。本研究開発では、イオンスパッタ法により膜品質の向上と、膜厚制御のための量子エリプソメータの導入により、BEUV反射多層膜を開発します。開発した反射多層膜を用いてBEUV結像光学系を開発し、BEUV像の取得を試みることで、BEUV露光機の光学技術獲得を目指します。

研究開発課題名	連鎖反応不要な高感度・高解像度反応系設計による高性能極端紫外光レジストの開発
研究代表者	古澤　孝弘
研究代表機関・役職	大阪大学 産業科学研究所　教授
研究開発概要	本研究開発では、金属・ハロゲン等の高吸収元素を活用し、かつ、連鎖反応不要なレジスト材料の開発を行います。しかしながら、放射線用レジストでは、光子の選択的吸収を活用できず、反応系で光子のエネルギー利用の選択性を出す必要があります。したがって、単に高吸収元素を添加するだけでは、高性能化は達成できません。放射線化学反応に基づき、レジスト反応系（プラットフォーム）を設計し、Beyond EUVにおいても適用可能な高感度・高解像度レジストを開発します。

研究開発課題名	波長170nm台コヒーレント光発生用非線形光学素子及びその応用の開発
研究代表者	宮本　晃男
研究代表機関・役職	株式会社オキサイド コアテクノロジ事業部　マネージャー
研究開発概要	次世代の半導体露光技術においては、露光マスクのパターンやウエーハ検査の高精度化が必須です。その実現には、検査用レーザー光源の波長を現在の最先端である200nm前後から170nm台へ大幅に短波長化することが必要となります。本研究開発では、真空紫外光を発生可能な非線形光学結晶の材料選定から結晶育成、デバイス化、レーザー光源試作まで一貫した技術開発を実施し、波長170nm台レーザー光源の要素技術確立を目的とします。

研究開発課題名	波長3μm～4μm帯高出力中赤外レーザーによる高効率EUV光源基盤技術の実証
研究代表者	安原　亮
研究代表機関・役職	核融合科学研究所　教授
研究開発概要	本研究開発では、「EUV光発生に必要なレーザーパワー密度1010W/cm2以上を可能とする3μm及び4μmのEUV光発生用固体レーザーの開発」を行い、計算結果の妥当性検証と、照射レーザー波長を最適化したEUV光変換効率の最大化を目指します。世界に先駆けた、EUV光源用照射レーザーの中赤外波長選択肢の多様化とEUV光発生効率デザイン精度向上の実現は、20年先を見据えた我が国の産業競争力強化のための重要な礎となるものです。