原子を操り原子で創る究極の表面
～SAHP法 : 「高速・精密・多様・大面積」すべてを兼ね備えた合成技術～
平田 祐樹（東京科学大学）
発明のポイント
CVD法を基軸とする従来型合成技術からのパラダイムシフト：SAHPの革命
原子で操り原子で創る究極の表面創成技術の確立
発明の概要
- ・SAHP (Sputtering- Annealing Hybrid Process)：スパッタリングとアニーリングを重畳適用
- ・基板と結晶の格子ミスマッチ低減の静的制御＋スパッタ粒子の分解挙動・表面拡散の動的制御
従来技術との比較・優位性
- 1.超高速性
- 従来：1層 ≈ 1時間 ➔ SAHP：1層 ≈ 1分
- 2.高精度制御
- ・成膜時間 ➔ 層数制御
・熱処理条件 ➔ 欠陥修復・結晶成長促進 - 3.材料拡張性
- マルチチャネル化によりグラフェン・hBN・TMDCからなるシームレスな積層を自在に合成可能
- 4.大面積合成
- 5cm×5cm基板への均一合成に成功。世界トップ水準（hBN最大例7cm × 7cm）に迫る
想定される用途
- ◎ 半導体・エレクトロニクス業界：革新的2D材料による従来デバイスの性能向上・低消費電力化
- ◎ バイオ・医療業界：2D膜ナノポアシーケンシング技術によるゲノム解析の超高速化
- ◎ エネルギー・環境業界：大面積2D膜を用いた固体高分子型燃料電池用の高効率PEMの開発
ライセンス可能な特許
発明の名称：六方晶窒化ホウ素層積層方法
国際公開番号：WO2026/048801
