| テーマ名 |
目標 |
達成状況 |
| １．ZnO-TFT 技術の開発 |
・4”φプロセス開発μ=30cm2/V･s
・量産機仕様決定（320×340 基板） |
・4”プロセスを構築、クリーンルーム・汎用装置・技術員を配備
・21 セグメントで世界初の液晶駆動を実現 |
・量産プロセス開発→量産
・ドライバ用μ=100cm2/V･s
・C-MOS のプロセス開発 |
・トップゲート構造採用でμ=50.3cm2/V･s を達成、SID2006 にて論文賞獲得
・量産性に優れたボトムゲート構造にて6 万画素、自然動画ZnO-TFT 液晶ディスプレイ作成、信頼性確保
・ZnO-TFT の応用展開として電子ペーパー、紫外線センサーの開発を実施、サンプル試作・展示
・基本素子で、基礎研究に邁進。結果としてディスプレイは完成。全透明TFT で新たに展開するなど応用を広げた。 |
| ２．TFT の分析評価及びSiGe-TFT技術の開発 |
・ドライバ用C-MOS 化
・高精細液晶ディスプレイ量産技術開発 |
・探査研究としては、名古屋大学にて一定の成果を挙げた。
・ZnO 関係に注力するため、TFT やZnO薄膜の評価を強化した。 |
| ３．次世代透明導電膜技術の開発 |
・ρ<5×10-4Ωcm
→ρ<2×10-4Ωcm
→ρ<10-5Ωcm |
・反応性プラズマ蒸着法、蒸着材料の開発により現行ITO 並みのρ=1.8×10-4Ωcm の低抵抗率を達成
・可視光において、ZnO 膜でITO を上回る透過率を達成 |
| ４．紫外LED 技術の開発 |
・MOCVD 装置でのZnMgO･pn 接合
・ダブルヘテロ接合構造のLED |
・京都大学で基礎研究。コア研ではコンピューターによる理論計算
・京都大学にて、p 型ZnMgO 擬似混晶設計、実験的に1014cm-3 台のp 型伝導を実施 |
| ５．電界電子放出型光源技術の開発 |
・10mA/cm2 at 3V/μm の炭素系薄膜開発 |
・CNW で、1mA/cm2 at 1.5V/μm を達成
・CNW を用いたランプで、80lm/W を達成 |
| ・車載用液晶ディスプレイのバックライト用平面光源の開発 |
・より効率の良いND/CNW 構造を研究開発
・1mA/cm2 at 0.8V/μm を達成。平面電子源としては、世界最高性能達成
・バックライトを目指し、平面光源化 |