◆（参考１）事業の目標・概要

地域結集型共同研究事業

平成１４年度事業開始地域中間評価報告書

平成１７年３月
独立行政法人科学技術振興機構地域振興事業評価委員会

４．

地域別評価

４－４　高知県
◆（参考１）事業の目標・概要

　高知県においては、平成９年度に「高知県科学技術振興指針」を策定し、電子・光や新材料技術の開発等による先端技術産業の創出を、県が取り組むべき重点課題として位置付けている。同時に、科学技術研究の拠点づくりと、産学官連携による産業振興を目的として、公設民営方式による高知工科大学を設立した。
　このような背景のもと、高知県は、将来の産業振興の主要な柱の一つとして、次世代のシーズや技術を有する企業の創出と集積を図るため、新材料の物性理論的研究、薄膜形成や次世代半導体開発技術等の分野で世界最高水準の研究レベルを持つ高知工科大学と県内外の企業グループとの共同研究を基に、新事業・新産業の創出を目指すべき機会が到来したと判断した。
　このため、県がリード役となって本事業を活用し、産学官の強力な連携による共同研究の仕組みづくりを進め、人的・財政的支援を行いながら、新材料と情報通信技術の融合による次世代の技術の獲得と新事業の創出を目指した「次世代情報デバイス用薄膜ナノ技術の開発」の研究に取り組むこととした。

１）地域ＣＯＥの構築
　高知工科大学を中心に、県内外の産学官の力を結集し、今後の社会ニーズに対応する多様な次世代情報機器の実現を可能にする基盤技術を開発し、この分野に関連して、次々と先導的な共同研究を実施し、高知県の科学技術のレベルを向上させるとともに、県内企業に研究成果を移転して新技術・新産業の創出を行うことができる地域ＣＯＥの構築を目指す。
　将来的には、地域ＣＯＥである「高知ＣＯＥ」（仮称）が中心となって、四国各県の持つ白色ＬＥＤ技術、特殊ガス応用技術、光学部材生産技術、冷陰極管・バックライト技術、ＴＦＴ技術、ＬＳＩ技術等をコーディネートし、事業化を図ることにより、「ディスプレイ・アイランド・四国」の構築を目指す。

２）新技術・新産業の創出
　ＺｎＯの特徴である

低温形成（室温～２００℃）が可能、

材料が豊富で安価、

簡単なプロセス装置の可能性、

ワイドギャップ半導体（光応用）などを活かした高性能ＴＦＴ技術や透明導電膜等の開発で、ＺｎＯ高性能ＴＦＴを基にして、高精細ディスプレイ、高性能アクティブ電子ペーパー、ウエアラブル端末機器などの次世代情報デバイスの開発と事業化を目指し、その集積を図ることを目的として、次の４つの主要テーマで構成される研究開発を行う。

テーマ１：　新材料による高性能ＴＦＴ技術の開発
ＺｎＯ（酸化亜鉛）等を用いて、従来のａ－Ｓｉ－ＴＦＴや、低温多結晶Ｓｉ－ＴＦＴを凌駕する高性能ＴＦＴを作るための基盤的技術の開発
１－１：　ＺｎＯ－ＴＦＴ技術の開発
１－２：　ＳｉＧｅ－ＴＦＴ技術の開発

テーマ２：　次世代透明導電膜技術の開発
ＺｎＯ―ＴＦＴのソース・ドレイン領域及び画素電極に必要とされるｎ＋ＺｎＯ膜の技術の開発と従来の透明導電膜を凌駕する超低抵抗化技術の開発

テーマ３：　保護膜低温形成技術の開発
保護膜を低温形成する装置の開発を行い、開発した装置を用いてプラスチック基板上に密着性良好な耐湿性透明保護膜を形成するための技術開発

テーマ４：　白色光源技術の開発

４－１：　紫外LED技術の開発
ＺｎＯの荷電子制御技術を開発し、ｐｎ接合を形成するための技術の開発。さらに、ダブルヘテロ接合構造によるＬＥＤ技術の開発

４－２：　冷陰極光源技術の開発
電界電子放出効率の高い炭素ナノ構造薄膜の合成法の開発。また、高効率電界電子放出素子を開発し、電極設計・ランプ化技術による面光源の原型開発

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