半導体などの製造工程で用いる毒性ガスや可燃性ガスなどの危険ガスは除害装置で無害化して排出する必要があるが、従来の除害方法（燃焼式、熱プラズマ式）は高ランニングコストな問題がある。特に可燃性ガスでは発生源から除害装置までガスを安全に輸送するために爆発下限界（LEL)まで窒素ガスで30 ～ 100倍程度希釈する必要がある。この大量の窒素ガスによって希釈後の総ガス量が数十倍になり、除害にかかるコスト・エネルギーも増大する。
LELはガス温度や圧力に依存するため、本開発では従来は大気圧であった発生源～除害装置間を真空に保つことでLELを大きくし、希釈窒素ガスの削減（処理に必要なエネルギーを約75％削減）に成功した。また、本除害装置は窒素の削減だけでなく低蒸気圧物質の除去を目的とした配管加熱温度も下げることができ、総ガス量が減少することで除害装置の設置数を減らせるため、大幅な省エネが可能である。