- 溶液成長法で作製した世界最高品質のSiC単結晶
名古屋大学 未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター
小間番号 | 展示 J18-7 |
---|
出展概要
SiCパワーデバイスの真の実力を発揮させるにためには、単結晶基板の高品質化は絶対条件です。当研究グループでは、溶液成長法を用いた超高品質SiC単結晶の作製に成功しました。溶液成長法により作製した結晶中では、デバイス特性に悪影響を及ぼす貫通らせん転位が、基底面上の異なる欠陥に変換していることが明らかとなりました。 この欠陥の変換によって、究極的には無転位結晶の実現も現実味を帯びてきました。SiC溶液成長法は、超高品質結晶育成法の急先鋒です。
JST支援プログラム名称・期間
スーパークラスタープログラム(愛知地域スーパークラスター)・平成25年度~平成29年度