- 次世代パワーデバイス用の高品位GaN基板
山口大学 大学院創成科学研究科
小間番号 | 展示 J18-5 |
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出展概要
気相成長方法において、液相成長と同様に低欠陥のGaN基板を作製する技術を開発しました。現在のところは、パワーデバイスのリーク源となる転位の集中がなく、転位密度104 cm-2まで低減できることを確認しています。展示当日は、基板作製工程別のサンプルを展示して、転位密度が低減している様子を紹介します。また、将来の商品イメージとして、参画企業の古河機械金属㈱の4インチGaN基板等の展示も行います。
JST支援プログラム名称・期間
研究成果展開事業スーパークラスタープログラム ・平成25年度~平成29年度