出展概要

本プログラムの目的は、自立GaN基板を用いて、横型トランジスタである高電子移動度トランジスタ（HEMT）と、縦型トランジスタであるトレンチ構造MOSFETを試作し、性能限界と可能性について将来への有用な知見を得ることです。横型HEMTでは、半絶縁性GaN基板の高抵抗性を高めることにより、理想的な高耐圧特性の実現を図ります。また、縦型MOSFETでは、量産にも適した選択イオン注入プロセスを導入し、小型・大電流化の可能性を追求しています。

JST支援プログラム名称・期間

研究成果展開事業スーパークラスタープログラム　・平成25年度～平成29年度