出展概要

GaNを用いたパワーデバイスに必要不可欠な高速・厚膜成長エピタキシャルおよび試作したGaNパワーデバイスに関して成果展示を行う。具体的には名古屋大学においてGaN基板上に10μm程度成長させたエピ膜にプロセスを行い、縦型ショットキーバリアダイオードを作製したウエハや、2インチGaN基板、エピ膜成長後の基板、プロセスを行った後の2インチ基板、ダイシング後チップ化したデバイスを展示します。

JST支援プログラム名称・期間

スーパークラスタープログラム（愛知地域スーパークラスター）・平成25年度～平成29年度