出展概要

微細トレンチMOS構造を導入した超低損失酸化ガリウムショットキーダイオードの開発に成功。市販されているSiやSiCを用いたダイオードよりも、順方向損失を40%低減できることが実証できた。

JST支援プログラム名称・期間

ナノテクノロジープラットフォーム

共同研究者情報

• 東京工業大学、早稲田大学、物質・材料研究機構