不揮発性メモリを用いた待機電力削減技術｜JSTフェア2015～科学技術による未来の産業創造展

不揮発性メモリを用いた待機電力削減技術: 東京工業大学　像情報工学研究所　准教授　菅原　聡

出展分野	グリーンイノベーション
支援プログラム名称	CREST（平成19～25年度）「ハーフメタル強磁性体を用いたスピン機能MOSFETの開発」
小間番号	展示 E-03

出展概要

マイクロプロセッサ、SoC(System on Chip)、FPGA(Field Programmable Gate Array)などのLSIを対象として、不揮発性メモリ素子とCMOSロジックの融合による不揮発性パワーゲーティングによって、従来技術では達成できない大幅な低消費電力化を実現します。既存技術に整合し、かつ待機時電力の削減効果を最大限に引き出せます。 MRAM、ReRAM、PRAM素子など種々の不揮発性メモリ素子に対応します。