出展概要

ロームは独自構造の採用により、世界で初めてトレンチ構造を採用したSiC-MOSFET の量産化に成功しました。既に量産中のプレーナー型SiC-MOSFET に比べ、オン抵抗を約50％低減、あわせてスイッチング性能（入力容量を約35%低減）の向上を実現しています。
また、トレンチ構造SiC-MOSFET を使用したフルSiCパワーモジュールを開発。内部回路は2in1 構成で、SiC-MOSFET およびSiC-SBD を用いた1200V/180A 定格品を開発しています。

共同研究者情報

京都大学