(100)Si基板上の無極性面ZnO層による純紫外域・緑色LEDの試作｜JSTフェア2015～科学技術による未来の産業創造展

(100)Si基板上の無極性面ZnO層による純紫外域・緑色LEDの試作: （株）コメット　基礎研究部　代表取締役社長　鈴木　摂

出展分野	ナノテクノロジー・材料
支援プログラム名称	A-STEP（研究成果最適展開支援プログラム）　シーズ育成タイプ　開発期間：平成23年度～平成26年度
小間番号	展示 A-33

出展概要

(100)Si表面に立方晶の硫化物(MnS)層をエピタキシャル成長し、さらにGaNキャップ層を設け無極性GaN・ZnO層のエピタキシャルテンプレート層とした。このテンプレート層上にMOCVD法によって (1120)面ZnO層を成長し、NOガスによる窒素添加によってp型層を得、ZnO pn接合を形成した。LED構造を作成し、無極性面ZnO 層からの380 nm 純紫外域注入発光を世界で初めて得た。さらに発光層をi-ZnCuO混晶に置き変え、純緑色注入発光を得た。

共同研究者情報

物質・材料研究機構／　東京大学
MANAナノエレクトロニクス材料ユニット
MANA半導体デバイス材料グループ　ユニット長　知京　豊裕