出展概要

MEMSなどに必要な気密封止接合を、ウェハレベルで実現することを目標とし、サブミクロンAu粒子で作製したポーラス構造体を加熱圧縮して気密封止接合を実施した。サブミクロンAu粒子を用いてポーラス構造体（幅20um、高さ20um）の枠を形成したウェハとデバイスウェハの2枚を200℃200MPaで30分押圧して接合した。ヘリウムリーク試験において10^-13Pa･m³/sの高い気密度を達成し、MEMSにおける気密封止接合の新たな選択肢を提供できることを示した。

JST支援プログラム名称・期間

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム（微細加工）

共同研究者情報

• 京都大学　ナノテクノロジーハブ拠点　上席高度専門技術職　松嶋朝明

ブース位置詳細