出展概要

GaN結晶およびGaNデバイスの高性能化・高品質化に貢献することを目的とした、GaNデバイス特性不良の起因となる欠陥同定のための評価法の開発について紹介する。GaN結晶の欠陥や転位を光学顕微鏡で簡易に計数、分類するために開発したエッチピット法の転位検出や転位種の同定精度についてCLマッピング法との対応や電子顕微鏡観察による転位種の解析結果を基に示す。また、エッチピット法を基準評価法とした非破壊評価法の展開についても触れる。

JST支援プログラム名称・期間

研究成果展開事業スーパークラスタープログラム
H25～H29

ブース位置詳細