出展概要

ハイブリッド自動車やエアコン等家電製品の更なる省エネ化を低コストで実現することが期待されており、次世代半導体GaN/Siの量産化に向け研究開発を進めている。開発目標は、ウエハ口径：6インチ径以上および同量産型MOCVD装置の開発（6インチ径以上×複数枚）、デバイス化に必要なダメージフリープロセスの構築、ノーマリオフデバイスの開発および小型・省エネパワー回路の開発である。これらの研究から得られたGaN/Si ウエハおよびＧａＮ/Ｓｉデバイスウエハ、ノーマリオフ型ＧａＮ／Ｓｉデバイス（面実装タイプ）を使用した小型ＤＣ－ＤＣコンバータの試作品を展示する。

JST支援プログラム名称・期間

研究成果展開事業スーパークラスタープログラム
H25～H29

ブース位置詳細