| チームリーダー ： | 二川 清 【ＮＥＣエレクトロニクス 株式会社 基盤技術開発事業本部 シニアプロフェッショナル】 |
| 中核機関 ： | ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 |
| 参画機関 ： | 独立行政法人 理化学研究所 大阪大学（基礎工、情報科学、レーザー研） 松下電器産業株式会社 浜松ホトニクス株式会社 |
- Ⅰ．開発の概要
- 超LSIチップの故障個所を、大気中で非破壊・非接触・非電極で電子レベル解析を行う超LSI故障個所解析装置を開発する。開発では、レーザー光をLSIチップ裏面から照射し、表面付近のp-n接合近傍で発生する光電流による微弱な磁場をSQUID磁束計で検出し、光電流により励起されるテラヘルツ電磁波を検出器で検出する技術を開発する。レーザー光の照射位置とこれらの信号からLSIチップの故障個所解析を行う技術を確立する。
- Ⅱ．中間評価における評価項目
- （１）L-SQ開発
- サンプル寸法（最大）、絞り込み対象領域、位置精度、画像取得時間については目標を達成できたが、空間分解能については更なる改善検討が必要である。
- （２）LTEM開発
- サンプル寸法、空間分解能については目標を達成できた。絞り込み対象領域、画像取得時間についてはハード面では達成できたがソフト面での準備も必要である。
- Ⅲ．評価
- 本課題は、レーザー光をLSIチップ裏面から照射し、表面付近のp-n接合で発生する光電流による微弱な磁場をSQUID磁束計で検出するL-SQ法と、同じく光電流により励起されるテラヘルツ電磁波を検出するLTEM法の二つを開発、組み合わせることによって、超LSIチップの故障個所を大気中で非破壊・非接触・非電極で絞り込みが可能となる画期的なLSI故障個所解析装置を開発するものである。
- 開発はLTEM法がやや遅れてはいるものの、全体的にはほぼ当初計画通りの進捗であり、今後、科学に立脚したものづくりのための先端計測に資するよう、最先端科学技術の知見を積極的に取り入れて着実に推進すべきである。