遠藤哲郎　東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター　センター長・大学院工学研究科 教授は、平成29年度全国発明表彰「21世紀発明奨励賞」を受賞しました。

全国発明表彰は、公益社団法人発明協会が、我が国の科学技術の向上と産業の発展に寄与することを目的に、多大な功績を挙げた発明等、あるいは、その優秀性から今後大きな功績を挙げることが期待される発明等を表彰するものです。

本受賞の対象となった発明は、ボディーチャネル型MOSFETによる3次元集積化メモリーの高度化に関する発明（特許5737525号）です。遠藤教授は、2008年に採択された戦略的創造研究推進事業CRESTによってこの開発を大きく前進させました。また現在は、同事業ACCELにおいて、引き続き、ワーキングメモリーを中心にロジックLSIや脳型AIチップといった様々な応用展開に向けた研究開発を進めています。

• 平成29年6月12日（月）にホテルオークラ東京にて表彰式が開催されました。
• ●平成29年度全国発明表彰　全国発明表彰式
• 日時：平成29年6月12日（月）15：10～16：10
• 会場：ホテルオークラ（東京都港区虎ノ門2-10-4）　別館2階オーチャードルーム
• ※詳細は以下のURLをご覧ください。
• http://koueki.jiii.or.jp/hyosho/zenkoku/2017/21ce3.html　（発明協会HP）
• http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2017/05/press20170525-01.html　（東北大学HP）
• http://www.cies.tohoku.ac.jp/news/awards/article.html?news_id=160　（東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターHP）

• ●JSTにおける主な採択課題
• 地域イノベーション創出総合支援事業
• 「縦型構造の電荷蓄積膜方式セルを積層した超高密度不揮発性半導体メモリの製造技術の開発」研究代表者 2007年度～2009年度
• 戦略的創造研究推進事業　CREST
• 「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」研究領域
• 「縦型ボディーチャネル MOSFET と その集積プロセスの開発」研究代表者 2008年度〜2013年度
• 戦略的創造研究推進事業　ACCEL
• 「縦型BC-MOSFET による三次元集積工学と応用展開」研究代表者 2014年度〜（推進中）
• 研究成果展開事業　産学共創プラットフォーム共同研究推進プログラム　OPERA
• 「世界の知を呼び込むIT・輸送システム融合型エレクトロニクス技術の創出」領域統括 2016年度～（推進中）