トピックス
遠藤哲郎教授が第14回(平成28年度)産学官連携功労者表彰「内閣総理大臣賞」を受賞
2016年08月26日 東京ビッグサイト
戦略的創造研究推進事業 ACCEL
https://www.jst.go.jp/kisoken/accel/
遠藤哲郎 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターセンター長・工学研究科 教授(JST戦略的創造研究推進事業ACCEL研究代表者)が、第14回(平成28年度)産学官連携功労者表彰において「内閣総理大臣賞」を受賞しました。本受賞は、産学官連携活動において極めて顕著な功績または功労があったと認められる者に対して表彰されるものです。平成28年8月26日(金)に東京ビッグサイトにて表彰式が行われました。
遠藤教授は現在JST戦略的創造研究推進事業ACCELにおいて、「縦型BC-MOSFET による三次元集積工学と応用展開」というテーマを推進中です。
これまで研究を進めてきた縦型ボディチャネルMOSFETがもつ低消費電力・高密度化などの優位性を最大限生かし、ワーキングメモリを中心に様々な集積回路への応用に向けた研究開発を進めています。情報化社会・省エネルギー社会・ユビキタス社会への貢献が期待されています。
- ■ 詳細は以下のURLをご覧ください。
- http://www8.cao.go.jp/cstp/sangakukan/sangakukan2016/1_souri.pdf (内閣府プレスリリース)
- http://www.tohoku.ac.jp/japanese/newimg/pressimg/tohokuuniv-press20160819_02_01web.pdf (東北大学プレスリリース)
- http://www.cies.tohoku.ac.jp/news/20160831.html (東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センタープレスリリース)
■ JSTにおける主な採択課題
-
地域イノベーション創出総合支援事業
「縦型構造の電荷蓄積膜方式セルを積層した超高密度不揮発性半導体メモリの製造技術の開発」研究代表者
2007年度~2009年度 -
戦略的創造研究推進事業 CREST
「縦型ボディーチャネル MOSFET と その集積プロセスの開発」研究代表者
2008年度~2013年度 -
戦略的創造研究推進事業 ACCEL
「縦型BC-MOSFET による三次元集積工学と応用展開」研究代表者
2014年度~(推進中)
写真提供:内閣府 第14回産学官連携功労者表彰「内閣総理大臣賞」受賞した遠藤哲郎 東北大学教授(左)、右は、鶴保内閣府特命担当大臣(科学技術政策)
写真提供:内閣府