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細野秀雄 東京工業大学教授に第12回日本イノベーター大賞 優秀賞
2013年10月22日

細野秀雄 東京工業大学教授が、第12回日本イノベーター大賞 優秀賞を受賞することが発表されました(主催:日経BP社)。

日本イノベーター大賞は、「日本発の独創的なアイデア、しかも実行力があって、日本の産業を変える可能性があり、既にある程度の成果を出している人。企業の技術者や大学の研究者、経営者などジャンルは問わない」という選考基準のもと、今の日本に活気をもたらした人を幅広い分野の中からノミネートし、大賞、優秀賞、特別賞が選出されます。

細野教授が優秀賞に選出された理由には、薄型ディスプレイの低消費電力化や高精細化を実現できる要素技術として実用化が始まった「IGZO系酸化物半導体TFT(In-Ga-Zn-Oを中心とする酸化物半導体を活性層とする薄膜トランジスタ)」(写真)や、鉄系超伝導物質の発見が上げられています。これらの成果はいずれも、細野教授がリーダーを務めたJSTのERATO細野透明電子活性プロジェクト(1999年度から2004年度)、およびERATO-SORSTプロジェクト(2004年度から2009年度)から生まれたものであり、今回これらの成果のオリジナリティが高く評価されたものと思われます。

<細野教授の受賞に際してのコメント>
 連絡を受けてビックリしました。記者の方が推薦して頂いたのではないでしょうか。
 この研究はJSTのERATOとERATO-SORSTのプロジェクトの成果の一つで、野村研二博士(現 クアルコム)、神谷利夫博士(現 東京工業大学 教授)、初期に共同研究を行ったキヤノンの研究者の方々、ならびに特許に関してお世話になっているJST知的財産戦略センターの関係者に厚くお礼申し上げます。