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JSTとシャープが酸化物半導体に関するライセンス契約を締結

科学技術振興機構(以下 JST)は、シャープ株式会社(社長:奥田 隆司、以下 シャープ)と、酸化物半導体(IGZO※1)を用いた薄膜トランジスタに関する特許のライセンス契約を、本年1月20日に締結しました。シャープがIGZOを採用した液晶パネルの本格的な生産に移行したことから、このたび両者の合意に基づき、本件についてお知らせいたします。

当該IGZOに関する特許は、東京工業大学(学長:伊賀 健一)の細野秀雄 教授らが、JSTの創造科学技術推進事業※2のプロジェクトにおいて発明したもので、東京工業大学などの出願を含め数十の特許群から構成され、JSTが一括でライセンスを実施しています。2004年同教授らは、薄膜トランジスタに用いると、従来の液晶パネルで採用されているアモルファスシリコンに比べて電子移動度が1桁高いことを見出し、同年11月には科学雑誌「Nature(ネイチャー)」で成果発表しました。

※1 In(インジウム)、Ga(ガリウム)、Zn(亜鉛)から構成される酸化物
※2 現在の、当機構の戦略的創造研究推進事業 総括実施型研究