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高性能の薄膜トランジスタに関する特許のライセンス契約を日本のメーカーと締結
2012年1月20日

東京工業大学 細野秀雄教授
透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)

JST(理事長:中村道治)は平成24年1月20日に、東京工業大学の細野秀雄教授らが発明した高性能の薄膜トランジスタ[IGZO(イグゾー;インジウムIn−ガリウムGa−亜鉛Zn−酸素O)TFT]に関する特許のライセンス契約を、日本のメーカーと締結しました。

JSTは、政府の知的財産戦略本部が掲げる「知的財産の創造・保護・活用」のもと、JSTの研究プロジェクトにより創出された本発明を世界の主要各国にいち早く特許出願をし、権利の確保を進めてきました。またJSTは、特許の使用を求める企業に対して公平に契約交渉し、契約を締結した企業には非独占的な実施権を認めております。