科学技術振興事業団報 第38号
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平成9年12月4日
埼玉県川口市本町4-1-8
科学技術振興事業団
電話(048)226-5606(総務部広報担当)
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「半導体用クラスターイオン注入装置」の委託開発企業の募集について
科学技術振興事業団（理事長 中村守孝）は、京都大学工学部教授 山田 公氏の研究成果である新技術「半導体用クラスターイオン注入装置」の開発を予定しています。開発を受託する企業等を下記の要領にて募集します。
記
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新技術の概要 |
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半導体素子の微細化は年々進展しており、代表的なメモリー素子であるDRAMについては、現在、2000年頃の実用化に向けてギガビット級素子の作製技術の研究開発が活発に行われている。この中でブレイクスルーが必要となっている技術の一つに、メモリー素子や論理演算素子に一般的に利用されているMOSFETの作製に際して必要となる浅い接合の形成技術があげられる。
本新技術は、ボロン原子を含む原子集団(クラスター)をイオン化したビームをシリコン基板に照射することにより、ボロンを不純物として添加するイオン注入装置に関するものである。MOSFETの作製で必要となる半導体表面の極浅い領域に限った不純物の注入が可能でありかつイオン注入部位が低抵抗である、イオン注入にともなう素子へのダメージが少ない等の特徴を有し、半導体素子の微細化、高速化に有利であり、次世代半導体素子の作製に必要な技術の一つとして期待される。
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募集期間 |
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平成9年12月5日(金)〜平成10年1月23日(金) |
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説明会 |
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日時 平成9年12月12日(金) 午後2時〜午後4時 |
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場所 科学技術振興事業団 大会議室
(埼玉県川口市本町4-1-8 川口センタービル12階)
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説明会出席希望や募集要項等、募集に関する問合せ先 |
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科学技術振興事業団プロジェクト部第二課 出村(でむら)
電話 03(5214)-8995(直)
ファクシミリ 03(5214)-8999
注）平成9年12月5日付官報、インターネットに関連情報を掲載しています。
インターネットホームページ http://www.jst.go.jp/
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・「半導体用クラスターイオン注入装置」(背景・内容・効果)
※詳細情報についてご希望の方は、当事業団総務部広報担当までお申し込みください。
TEL:048-226-5606 FAX:048-226-5646
This page updated on March 26, 1999
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