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科学技術振興事業団(理事長 中村守孝)は、科学技術庁金属材料技術研究所第4グループ第3サブグループリーダー 中谷 功氏の研究成果である新技術「金属磁性材料用反応性イオンエッチング技術」の開発を予定しています。開発を受託する企業等を下記の要領にて募集します。
記
本新技術は、一酸化炭素とアンモニア混合ガスのプラズマを用い、金属磁性材料の表面 に遷移金属カルボニル化合物を生成させてエッチングする反応性イオンエッチング技術に関するものである。本新技術は、金属磁性材料のみを選択的にエッチングできる、エッチング速さの向上が図れる、異方的形状の加工が可能である等の特徴を有するので、磁気ヘッドや磁気集積回路等における金属磁性材料の微細加工技術としての利用が期待される。 |
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・「金属磁性材料用反応性イオンエッチング技術」(背景・内容・効果)
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This page updated on March 26, 1999
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