課 題 名 | 「触媒CVDによるシリコン成膜装置」 | ||||||
研 究 者 | 北陸先端科学技術大学院大学 教授 松村英樹 | ||||||
所 有 者 | 北陸先端科学技術大学院大学 教授 松村英樹 科学技術振興事業団 アネルバ株式会社 | ||||||
委託企業 | アネルバ株式会社 | ||||||
開 発 費 | 94,908千円 | ||||||
開発期間 | 平成10年3月~平成14年12月 | ||||||
評 価 | 本新技術は、シリコン膜の原料であるシランガス等を加熱された触媒線に吹き付けることで分解し、生成した活性種からシリコン膜を得るシリコン成膜装置に関するものである。 本開発では、触媒線の配置を成膜試験結果に基づくシミュレーションにより最適化することで、膜厚変化が小さいシリコン膜が得られた。また、導入する原料ガスの流量と圧力を制御することで高い結晶性を保ちながら成膜速度を改善することができた。キャリア移動度に関しては、成膜室内壁を加熱するホットウォール法により移動度向上を阻害するシリコン膜中の酸素濃度を低減することが可能となり、移動度の高いシリコン膜を得ることが可能となった。 本開発の触媒CVDによるシリコン成膜装置は、大面積で移動度の高いポリシリコン膜を低温で成膜することが可能であることから、太陽電池や液晶用大型ポリシリコン膜製造への応用が期待される。 | ||||||
評 価 者 |
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評 価 日 | 平成15年3月7日 |
本件に関する問い合わせ先 東京都千代田区四番町5-3 科学技術振興事業団 開発部 開発推進課 菊地、二階堂 Tel: 03-5214-8995,Fax: 03-5214-8999 |