本新技術は、超微細半導体素子の製造プロセスにおいて、性能に悪影響を与えるリーク電流が生じにくい極浅接合を形成するためのデカボランイオンビーム発生装置に関するものである。本新技術では、ホウ素１０原子からなるデカボラン（B₁₀H₁₄）蒸気に電子をあててイオン化し、加速するため、小さな電流で多くのホウ素を低速度かつ収束したビームとして注入することができ、極浅ｐ型不純物層の形成が可能となる。
　本新技術は、半導体の微細なｐ型層形成に必要な技術となりうることから、集積回路の高集積化、高速化、低消費電力化に寄与することが期待される。
　本新技術の背景、内容、効果は次のとおりである。

　集積回路の素子中のｐ型半導体層は、ホウ素をイオン化し電位差で加速して半導体ウエハ表面の浅い領域に注入する方法で形成される。集積度を上げるために素子を小型化するには、加速電位差を低くしてイオンビームを低速化することで注入層をより浅くする必要がある。しかし、電位差が低いとイオンを十分引き出すことができず、注入効率が低下することや、ホウ素イオンは軽いためイオンビームを低速度にするとイオン間反発力によりイオンビームが広がり均一な注入が困難となるといった問題がある。

　本新技術は、質量が大きいためイオン間の反発力でも広がりにくいことに加えて、１イオンあたり１０個のホウ素を含むため低いイオン電流値であってもホウ素注入効率が高いデカボラン分子を、加熱やイオン化衝撃による分解を抑制することで効率よくイオン化することで大電流イオンビームを発生させる技術に関するものである。

　本新技術には次のような特徴がある。