| 課題名 | 「金属磁性材料用反応性イオンエッチング技術」 | ||||||
| 研究者 | 中谷 功（独立行政法人物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所 サブグループリーダー） | ||||||
| 委託企業 | アネルバ株式会社 | ||||||
| 開発費 | 107,048,313円 | ||||||
| 開発期間 | 平成１０年３月〜平成１３年３月 | ||||||
| 評価 | コンピュータ製品等に利用される金属磁性材料の超微細加工技術の開発が望まれている。従来、半導体加工分野では反応性イオンエッチング法により超微細加工が実現しているが、このエッチング法を同一条件で金属磁性材料に適用してもエッチング速度等に問題があった。 本新技術では、反応性イオンエッチング技術を金属磁性材料の超微細加工へ適用することを目的として開発を実施した。その結果、一酸化炭素(CO)ガス及びアンモニア(NH3)ガスの高密度プラズマを用いることにより130nm/minの高速エッチングが可能になった。さらに、プロセス条件等の最適化によりプラズマ密度分布が均一になり、±3.3%の面内均一性のあるエッチングが可能になった。また、マスク材料にチタン(Ti)やタンタル(Ta)を用いることにより選択性が向上し、80°の高い異方性が実現できた。 | ||||||
| 評価者 |
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| 評価日 | 平成１３年５月３１日 |
| （＊） | この発表についての問い合わせは以下の通りです。 | ||||
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