| 課題名 | 「ラジカル制御によるプラズマエッチング装置」 | ||||||
| 研究者 | 名古屋大学工学研究科教授 後藤俊夫 | ||||||
| 所有者 | 名古屋大学長、名古屋大学工学研究科教授 後藤俊夫、東京エレクトロン山梨(株) | ||||||
| 委託企業 | 東京エレクトロン山梨(株) | ||||||
| 開発費 | 882,030千円 | ||||||
| 開発期間 | 平成９年１月〜11年７月 | ||||||
| 評価 | プラズマエッチングにおいて、プラズマに赤外線レーザを照射し、透過したレーザの強度変化により、プラズマ中に存在するラジカル密度等を計測した結果を基に、高周波電力(オン・オフ比や電力など)やガス圧、流量、組成(O２添加量)等を変化させることにより、プラズマ中のラジカル密度や雰囲気等を最適化して超微細加工が可能なエッチング装置を開発した。 開発した装置においてエッチングを行い、SiO２/Siの選択比44以上(アスペクト比15.6)、SiO２/SiNの選択比が25以上と目標値を達成したことから、超精密加工が可能であり半導体製造用のエッチング装置としての利用が期待される。 | ||||||
| 評価者 |
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| 評価日 | 平成11年12月６日 |
| 本件に関する問い合わせ先 | 東京都千代田区四番町５−３ | |
| 科学技術振興事業団 | Fax 03-5214-8399 | |
| 開発業務部 管理課 | Tel 03-5214-8996 | |
| 草野、久保 | ||
This page updated on December 22, 1999
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