| 注１ |
トンネル電流 |
|
厚さが１～2 nm程度の絶縁体を強磁性体ではさみ、強磁性体／絶縁体／強磁性体の3層膜の両端に電極を繋ぎ電圧をかけたときに流れる電流をトンネル電流という。二つの強磁性体のスピンの向きを互いに揃えた場合と逆向きにした場合では、抵抗の大きさに違いが生じ、流れるトンネル電流の大きさが異なる。 |
| 注２ |
磁気不揮発メモリー（MRAM） |
|
強磁性体／絶縁体／強磁性体の3層構造をメモリ素子とするランダムアクセスが可能な不揮発性メモリー。マトリックス状に配線したビット線とワード線の交点に素子を配置した構造で、書込みは現在、電流が発生する磁場を用いて行い、読み出しは抵抗の違いを計測することで行っている。高速でしかも無限に書換えが可能であり、大容量化も可能であることから次世代のメモリーとして期待されている。 |
| 注３ |
ユビキタス社会 |
|
成熟したネットワーク社会のひとつのイメージで、遍在するという意味から来た言葉。情報にいつでも、どこでもアクセスすることが可能で、いつでもどこでもコンピュータが利用でき、必要に応じて無線により情報を交換する等により創り出される豊かな社会像として期待されている。 |