図４　曲げる前（左）と曲げた後（右）のTFT特性。

ゲート電極に電圧Ｖ_ＧＳを印加すると、ソース・ドレイン電極間に電子が注入され、トランジスタがオン状態となる。ソース・ドレイン電極間の電圧Ｖ_ＤＳが増加するとソース・ドレイン間電流Ｉ_ＤＳが増加するが、やがて飽和する典型的なトランジスタ特性を示す。また、ＰＥＴフィルムを曲げても、トランジスタ特性は、ほとんど変化しない。