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別紙1

国際科学技術共同研究推進事業(戦略的国際共同研究プログラム)
「日本−ヴィシェグラード4ヵ国(V4)共同研究」
平成27年度採択課題 一覧

課題名 国名 研究代表者 所属機関・役職 研究概要
高In組成InGaNの高品質エピタキシャル成長と次世代ディスプレイ・照明及び通信用光源と高効率太陽電池 日本 天野 浩 名古屋大学 工学研究科
教授、赤ア記念研究センター長
本研究は、次世代究極効率ディスプレイおよび照明用光源、4K・8K対応および移動体内用低コスト大容量光ファイバ通信用光源、究極効率太陽電池用材料として期待される高In組成InGaNの結晶成長技術の構築を目指す。 具体的には、日本側では、加圧MOVPE成長、ナノロッド成長技術を活用し、パターニングGaN基板上に高In組成InGaNを成長する。さらにLED、LD、太陽電池を試作して優位性を確認する。ポーランド側は、長年のバルクGaN成長の経験を活かし、ナノサイズ加工されたGaN基板の作製に特化する。チェコ側はX線回折を用いて、三次元構造InGaNの構造解析、特にIn組成および欠陥解析を行う。 各国が力を合わせて、今まで結晶欠陥の生成によりできなかった高In組成InGaNによる高効率長波長LED、LDおよび太陽電池の実現につなげる。
ポーランド マイク・レスチンスキ ポーランド科学アカデミー 高圧物理学研究所
研究室長
チェコ ホリー・バクラフ カレル大学 物性物理学部
教授
金属−IV族半導体ナノ複合体のナノフォトニクス:単一ナノ粒子から機能性集合体まで 日本 藤井 稔 神戸大学 工学研究科
教授
本研究は、低環境負荷材料であるシリコンのナノ結晶と金属ナノ構造からなる新複合ナノ材料を創成し、その電子デバイス応用とバイオ応用を検証することを目的とする。 具体的には、日本側がシリコンナノ結晶の開発(ドーピング、表面修飾、複合ナノ構造形成等)を行う。チェコ側は単一ナノ粒子レベルの高精度な物性評価とバイオ応用研究を実施する。ハンガリー側とスロバキア側は、それぞれ密度汎関数理論と量子モンテカルロ法による電子状態計算を行う。ポーランド側は、電子デバイスのモデリングと形成を行う。 各国が共同で研究することにより、優れた発光特性を有するシリコンベース新複合ナノ材料を開発し、その電子デバイス応用とバイオ応用を検証することで、低環境負荷社会の実現に貢献する。
チェコ ヤン・バレンタ カレル大学 数学・物理学部
教授
ハンガリー アダム・ガリ ハンガリー科学アカデミー ウィグナー物理学研究所
リサーチアドバイザー、リサーチグループリーダー
スロバキア イヴァン・スティッチ スロバキア科学アカデミー 物理学研究所
チーフサイエンティスト
ポーランド ロムアルト・バルトウォミェイ・ベック ワルシャワ工科大学 マイクロエレクトロニクス・オプトエレクトロニクス研究所
教授
先進ナノ酸化物の創製と構造・電気化学特性の関係解明による次世代蓄電デバイスの開発 日本 鈴木 久男 静岡大学 電子工学研究所
教授
本研究は、原料粉体の構造と特性を詳細に研究して電池特性と比較することで、次世代型高性能二次電池を開発することを目的とする。 具体的には、日本側は基本計画の立案と電池材料の合成および電池特性を評価し、各国間の調整を行う。スロバキア側は種々の分析装置により合成した粉体や焼結体の構造解析を実施する。ポーランド側は電極用粉体の合成とスパークプラズマ焼結を行う。チェコ側は電極材料と固体電解質の合成とそれらを用いた電池の性能を評価する。 各国が共同で得意分野の研究を実施することにより、粉体特性の最適化とそれらを組み合わせた電池の界面制御を行うことで、全固体型あるいは薄膜型次世代高性能蓄電池の開発が期待される。
スロバキア ウラジミール・シュペラック スロバキア科学アカデミー 地盤科学研究所
教授
チェコ ラディスラフ・カヴァン J・ヘイロフスキー物理化学研究所
教授
ポーランド ダリウス・オレシャック ワルシャワ工科大学 物質科学工学部
准教授
高い安定性を有するGaN−MOSトランジスタスイッチ 日本 橋詰 保 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
教授、センター長
本研究は、MOSゲート構造の界面電子準位を制御し、窒化ガリウムMOS型高電子移動度トランジスタ(GaN MOS−HEMT)の動作安定性を飛躍的に向上させることを目的とする。 具体的には、日本側は、高温・広帯域容量—電圧法によるMOS界面特性の詳細評価と界面制御法の開発を行う。ポーランド側は厳密計算法による界面欠陥準位解析を行い、ハンガリー側は界面構造の透過電子顕微鏡解析を担当する。さらにスロバキア側は、界面欠陥準位制御と新素子構造に基づくHEMTの試作と評価を実施する。 各国の相補的・機能的共同研究により界面解析・制御技術とデバイス作製技術が融合し、高い動作安定性を有するGaN MOS−HEMTの実現とその次世代インバータ応用が期待される。
スロバキア ヤン・クズミック スロバキア科学アカデミー 電気工学研究所
研究部長
ポーランド ボグスラバ・アダモヴィッチ シレジアン工科大学 物理学研究所
准教授、学科長
ハンガリー ラヨシュ・トート ハンガリー科学アカデミー 技術物理学・物質科学研究所
主任研究員
難加工性マグネシウム合金管を対象としたレーザダイレス引抜きのマルチスケールモデル 日本 古島 剛 首都大学東京 理工学研究科
助教
本研究は、レーザダイレス引抜きのマルチスケール解析を開発することにより、高強度・高延性を実現するマグネシウム合金細管を創製することを目的とする。 具体的には、日本側は難加工性マグネシウム合金管を用いたレーザダイレス引抜き実験を行い、ポーランド側が加工中の熱と変形および内部組織と表面あれ進展を考慮したマルチスケール解析を開発する。またチェコ側が表面あれ進展や内部組織観察等の実験的観察を行う。 各国が共同で研究することにより、レーザダイレス引抜きにおけるミクロからマクロに渡る寸法横断的な各種加工因子の最適化を図り、高強度・高延性を実現するマグネシウム合金を創製することで、自動車の軽量化部材や医療用生体吸収性材料への適用が期待される。
ポーランド アンドリ・ミレニン AGH科学技術大学
教授
チェコ ジリ・ネメチェック チェコ工科大学 土木工学部
准教授