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図1.本研究で開発したフォトニック結晶レーザ

図1.本研究で開発したフォトニック結晶レーザ
図1.本研究で開発したフォトニック結晶レーザ
a,デバイス構造の模式図。デバイスには、共振器として正方格子フォトニック結晶が導入されています。活性層はInGaAs/GaAsから成り、発振波長は約980nmに設定されています。 b, c,真円格子点、三角格子点に対する単位格子中の電磁界分布。磁界は色で表され、面内の電界ベクトルは矢印で表されています。d-h, 様々な格子シフトの導入と電磁界分布を表します。d,格子点形状が真円で格子シフトなし、e, 真円格子点で、格子シフトを1本導入したもの、f, 真円格子点形状で、格子シフトを2本平行に導入したもの、g, 真円格子点形状で格子シフトを十字状に導入したもの、h,真円格子点で、2本の平行格子シフトを直交させて導入したもの。 d, eの中には、単位格子中の電磁界分布の拡大図を示します。