| （注１） |
電解質内部を自由にイオンが動き回ることのできる固体。 |
| （注２） |
「ＮａｎｏＢｒｉｄｇｅ（ＴＭ）」はＮＥＣの登録商標です。 |
| （注３） |
ユーザの手元で回路再構成ができ、機器開発期間・初期開発費を大幅に縮小できるＬＳＩ。 |
| （注４） |
金属線に電流を流した際、電子流によって金属原子が動かされ、抵抗が大きくなり、時には断線に至る現象。金属線が微細である場合に顕在化します。 |
| （注５） |
従来のプログラマブルロジックでは、スイッチの使用数を減らす事を目的に、トランジスタ数の多いロジックセルが用いられてきました。これは再構成用スイッチである半導体スイッチの面積が大きく抵抗が高いためでした。その結果生ずる回路の使用効率悪化に伴い、ロジックセル組み合わせ自由度や並列演算処理性能が低下し、アプリケーションの範囲が限られていました。一方、２端子ＮａｎｏＢｒｉｄｇｅのサイズは、従来の半導体スイッチの１／３０程度であるため、トランジスタ数の少ないロジックセルを用いることができます。その結果、回路の使用効率が１桁向上し、同機能の従来のプログラマブルロジックと比較するとチップサイズを１／１０程度にでき、消費電力・動作速度等の性能が向上します。逆に、同じチップサイズで比較すると、多くの機能を詰め込むことが可能となり、大規模なアプリケーションが実現可能となります。 |