図2
図2: TMR素子の出力特性
Gbit-MRAM実現のためには、出力電圧を倍増することが必須である。
そのために、
磁気抵抗の増大
と
電圧特性の改善
(電圧を印可しても磁気抵抗が減少しにくいこと)が必要となる。
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