低炭素社会戦略センター

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低炭素社会の実現に向けた技術および経済・社会の定量的シナリオに基づくイノベーション政策立案のための提案書

技術開発編

次世代半導体デバイス

GaN系半導体はデバイスはエネルギー利用効率の高さから、照明・ディスプレイ・車や鉄道における電力変換などの各アプリケーションで省エネルギー効果が期待され、コスト低減や生産性の向上で普及が期待できる段階にある。 GaN 系半導体の材料としての特徴や魅力を踏まえつつ、レーザダイオード、高周波通信デバイス、パワーデバイス等の次世代デバイスへの応用のための技術開発の現状を調査し、今後注力すべき技術開発課題を明確化した。

FY2017-PP-11

GaN系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望(Vol.2)—GaN結晶と基板製造コスト—(平成30年2月発行)

FY2016-PP-08

GaN系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望(平成29年3月発行)

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LCS社会シナリオ・総合編

これまで LCS が取り組んできた「低炭素社会の実現に向けた技術および経済・社会の定量的シナリオに基づくイノベーション政策立案のための提案書」のポイントや最新の研究成果をまとめたものです。

総合編

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