水素終端4族単原子層を用いた室温動作新機能素子の創成

さきがけ研究者


安武 裕輔

東京大学 大学院総合文化研究科
助教
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研究領域の概要

水素終端Ⅳ族単原子層はバルクⅣ族半導体とは異なる機能(高電子移動度、直接遷移化)の発現が期待されている新規機能性材料です。本研究では水素終端ゲルマニウム単原子層を作製し、①電界効果トランジスタの動作実証、②発光・受光素子機能と歪によるバンド変調との新規融和素子、③光・電子スピン注入・検出能評価に関する研究を行い、革新デバイスを下支えする新規機能性材料と新規能素子の創成を目指します。

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