さきがけ研究者

山田 浩之

産業技術総合研究所 電子光技術研究部門
主任研究員
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研究領域の概要

本研究課題では、強誘電ナノスケール超薄膜において必然的に生じるリーク電流（トンネル効果）を積極的に活用した新しいタイプの抵抗変化スイッチング機能を開拓します。　特に、電極材料に活用しうる金属材料と強誘電体との間の界面に着目してその特徴や役割を体系的に追究し、明らかになった界面機能をさまざまな酸化物材料の特長を駆使して最適化することにより、不揮発メモリ機能の高性能化を目指します。