極薄ナノ金属酸化膜をもつ抵抗変化型メモリ

さきがけ研究者


大野 武雄

東北大学 原子分子材料科学高等研究機構
准教授
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研究領域の概要

酸素中性粒子ビームを用いた極薄ナノ金属酸化膜の新規な形成手法を確立し、それを用いたイオンと原子の移動に基づく抵抗変化型メモリの試作とその動作実証を試みます。メモリ素子をナノサイズ化してスイッチング現象に寄与するイオンと原子の数を数えられる程度にまで減らすことで、0.1pJ以下の低消費電力、0.1V以下の低しきい値電圧および0.1ns以下の高速スイッチング時間を目指します。

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