【長汐 晃輔】2層グラフェンのギャップ内準位解析と複層化界面制御による準位低減

さきがけ研究者

長汐 晃輔

長汐 晃輔

東京大学
大学院工学系研究科
准教授
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研究概要

既存のSiO2/Si系における界面準位との比較をもとに、層状物質系、特に2層グラフェンでのギャップ内準位の起源という本質的な問題に様々な解析手法を適応し取り組みます。様々なゲートスタック構造における系統的な比較をもとに界面準位の起源を明確にし、低減への指針を明確にします。最終的に、室温で高移動度と高Ion/Ioffを両立させることを研究目標とします。

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