【片瀬 貴義】遷移金属酸化物歪界面を利用した巨大フォノンドラッグ熱電能の観測と制御

さきがけ研究者

片瀬 貴義

片瀬 貴義

東京工業大学
科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所
准教授

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研究概要

電子と格子の相互作用から生まれるポーラロンの低次元化に着目し、遷移金属酸化物のヘテロ界面格子歪・人工超格子を使って、フォノンドラッグ熱電能を室温で引き出す手法の開発にチャレンジします。これにより、熱電変換性能を室温で10倍増強させた高性能熱電変換材料を実現し、薄膜デバイス化によりセンサー駆動用の電源応用を目指します。

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