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| 須田 淳 （すだ じゅん） |
| （京都大学大学院工学研究科 講師） |
| 生年 |
1969年 |
| 出身地 |
埼玉県 |
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| 1988年3月 |
東京都 私立城北高等学校 卒業 |
| 1992年3月 |
京都大学 工学部電気工学科 卒業 |
| 1994年3月 |
京都大学 大学院工学研究科電気工学専攻 修士課程 修了 |
| 1997年3月 |
京都大学 大学院工学研究科電気工学専攻 博士課程 修了 |
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工学博士(京都大学) |
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| 1995年7月 |
日本学術振興会 特別研究員 |
| 1997年4月 |
京都大学 大学院工学研究科電子物性工学専攻 助手 |
2000年6月
〜9月 |
カルフォルニア大学バークレイ校訪問研究員
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| 2002年10月 |
京都大学 大学院工学研究科電子物性工学専攻 講師 |
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| 1992年〜 |
ZnSe系半導体の結晶成長と量子井戸構造における励起子光物性に関する研究 |
| 1997年〜 |
 族窒化物の結晶成長と物性制御に関する研究 |
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(特に、-N/SiCヘテロ界面制御とSiCパワーデバイスへの応用)
デバイスシミュレーションによるSiCパワーデバイスの構造設計
走査プローブ顕微鏡によるワイドギャップ半導体の局所電子物性評価 |
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| 1994年7月 |
日本MRS学術シンポジウム奨励賞 |
| 1999年3月 |
第5回応用物理学会講演奨励賞受賞 |
| 2001年11月 |
The Corning Japan Research Grant Award |
| 2002年6月 |
第21回電子材料シンポジウムEMS賞 |
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| [1] |
Jun Suda, Yoichi Kawakami, Shizuo Fujita, and Shigeo Fujita,
Gas-Source Molecular Beam Epitaxy Growth of (Zn,Mg)(S,Se) Using Bis- methylcyclopenta-dienyl-magnesium and Hydrogen Sulfide,
Jpn. J. Appl. Phys., 33, No.3A, L290-293 (1994)
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| [2] |
Jun Suda, Yoichi Kawakami, Shizuo Fujita, and Shigeo Fujita,
Optical Properties of ZnSe/ZnMgSSe Single Quantum Wells Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy,
Jpn. J. Appl. Phys., 33, No. 7B, L986-989 (1994)
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| [3] |
Yoichi Yamada, Tomobumi Mishina, Yasuaki Masumoto, Yoichi Kawakami, Jun Suda, Shizuo Fujita, and Shigeo Fujita,
Time-resolved nonlinear luminescence of biexcitons in ZnSe-ZnMgSSe single quantum wells,
Phys. Rev. B, 52, No.4, R2289-2292 (1995)
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| [4] |
Jun Suda, Yoichi Kawakami, Shizuo Fujita, and Shigeo Fujita,
Growth of ZnSe/ZnMgSSe quantum well structures by metalorganic molecular beam epitaxy under in situ observation of reflection high energy electron diffraction intensity oscillation,
J. Crystal Growth, 150, No.1-4, 738-742 (1995)
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| [5] |
Jun Suda, Yoichi Kawakami, Shizuo Fujita, and Shigeo Fujita,
(2x6) Surface Reconstruction of GaAs (001) Obtained by Hydrogen Sulfide Irradiation,
Jpn. J. Appl. Phys., 35, No.11B, L1498-1500 (1996)
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| [6] |
Yoichi Yamada, Tomobumi Mishina, Yasuaki Masumoto, Yoichi Kawakami, Jun Suda, Shizuo Fujita, and Shigeo Fujita, Dynamics of dense excitonic systems in ZnSe-based single quantum wells, J. Crystal Growth, 159, No.1-4, 814-817 (1996)
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| [7] |
Jun Suda, Masahiro Tsuka, Daisuke Honda, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Shizuo Fujita, and Shigeo Fujita,
Growth of P-Type ZnSe by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy Using Metal Zn and Dimethylselenide,
J. Electronic Materials, 25, No.2, 223-227 (1996)
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| [8] |
Issak Hauksson, Jun Suda, Yoichi Kawakami, Shizuo Fujita, and Shigeo Fujita,
The role of defects on radiative transitions in nitrogen doped ZnSe,
J. Crystal Growth, 159, 329-333 (1996)
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| [9] |
Jun Suda, Ryuji Tokutome, Yoichi Kawakami, Shizuo Fujita, and Shigeo Fujita
Hydrogen Sulfide Treatment of GaAs and its effects on initial stage of growth of ZnSe,
J. Crystal Growth, 175/176, 593-597 (1997)
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| [10] |
Jun Suda, Masahiro Ogawa, Keiichiro Sakurai, Yoichi Kawakami, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita,
Optical properties of light-hole excitons in ZnSSe/ZnMgSSe tensile-strained quantum wells,
J. Crystal Growth, 184/185, 863-866 (1998)
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| [11] |
Tatsuro Kurobe, Yoshikazu Sekiguchi, Jun Suda, Masahiro Yoshimoto, and Hiroyuki Matsunami,
Preferential Growth of Cubic GaN on Sapphire (0001) Substrates by Metal Organic Molecular Beam Epitaxy,
Appl. Phys. Lett., 73, No.16, 2305-2307 (1998)
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| [12] |
Jun Suda, Tatsuro Kurobe and Hiroyuki Matsunami,
Growth Evolution of Cubic-GaN by Metal Organic Molecular Beam Epitaxy,
J. Crystal Growth, 201/202, 437-440 (1999)
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| [13] |
Jun Suda, Tatsuro Kurobe, T, Masuda and Hiroyuki Matsunami,
Preferential Growth Mode of Cubic GaN by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy on Sapphire (0001) Substrates,
phys. stat. sol. (a), 176, 503-507 (1999)
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| [14] |
Akitaka Soeno, Daisuke Kajita, Jun Suda and Hiroyuki Matsunami,
GaP/Si Heterojunction with Ohmic Conduction Fabricated by Wafer Fusion Technique,
Jpn. J. Appl. Phys., 39, No.9A/B, L905-907 (2000)
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| [15] |
Jun Suda, Tatsuro Kurobe, Shigeru Nakamura, and Hiroyuki Matsunami,
Selective Area Growth of Cubic GaN on 3C-SiC (001) by Metal Organic Molecular Beam Epitaxy,
Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 39, No.11A, L1081-1083 (2000)
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| [16] |
Hiroyuki Kinoshita, Shigeki Otani, Sathoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Jun Suda and Hiroyuki Matsunami,
Zirconium Diboride (0001) as an Electrically Conductive Lattice-Matched Substrate for Gallium Nitride
Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 40, No.12A, L1280-1282 (2001)
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| [17] |
Norio Onojima, Jun Suda, and Hiroyuki Matsunami,
Molecular-beam epitaxial growth of insulating AlN on surface-controlled 6H-SiC by HCl gas etching
Appl. Phys. Lett., 80, No. 1, 76-78 (2002)
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| [18] |
Jun Suda, Shun-ichi Nakamura, Mineo Miura, Tsunenobu Kimoto, and Hiroyuki Matsunami,
Scanning capacitance and spreading resistance microscopy of SiC multiple-pn- junction structure Jpn. J.
Appl. Phys., 41, Part 2, No. 1A/B, L40-42 (2002)
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| [19] |
Jun Suda and Hiroyuki Matsunami,
Heteroepitaxial Growth of Group- Nitrides on Lattice-matched Metal Boride ZrB2 (0001) by Molecular Beam Epitaxy,
J. Crystal Growth, 237-239, 210-213 (2002)
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| [20] |
Norio Onojima, Jun Suda and Hiroyuki Matsunami,
Lattice relaxation process of AlN growth on atomically flat 6H-SiC substrate in molecular beam epitaxy
J. Crystal Growth, 237-239, 1012-1016 (2002)
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| [21] |
Jun Suda, Shun-ichi Nakamura, Mineo Miura, Tsunenobu Kimoto, and Hiroyuki Matsunami,
Scanning capacitance microscopy of SiC multiple pn junction structure grown by cold-wall chemical vapor deposition
Mater. Sci. Forum, 389-393, 659-662 (2002)
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| [22] |
Norio Onojima, Jun Suda and Hiroyuki Matsunami,
Heteroepitaxial Growth of Insulating AlN on 6H-SiC by MBE
Mater. Sci. Forum, 389-393, 1457-1460 (2002)
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※「1期生」 ＝ 平成13年度採用研究者 2001年〜2004年
※「2期生」 ＝ 平成14年度採用研究者 2002年〜2005年
※「3期生」 ＝ 平成15年度採用研究者 2003年〜2006年
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