 |
| |
 |
 |
| 渡辺 正裕 （わたなべ まさひろ） |
| （東京工業大学 大学院総合理工学研究科物理情報システム創造専攻 助教授） |
|
|
|
 |
|
| |
| 1983年3月 |
千葉県立東葛飾高校 卒 |
| 1984年4月 |
東京工業大学 5類 入学 |
| 1988年3月 |
東京工業大学 電気電子工学科 卒 |
| 1990年3月 |
東京工業大学 大学院 理工学研究科電子物理工学専攻 修士課程 修了 |
| 1993年3月 |
東京工業大学 大学院 理工学研究科電子物理工学専攻 博士課程 修了 |
| 1993年3月 |
工学博士 （東京工業大学） |
|
 |
|
| |
| 1993年4月 |
東京工業大学 工学部 電子物理工学科 助手 |
| 1995年12月 |
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター 助教授 |
| 1999年4月 |
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 助教授 |
|
 |
|
| |
 |
|
| |
金属/絶縁体/半導体ヘテロ接合の結晶成長と量子効果デバイスへの応用に一貫して従事。得意とする分野：超高真空技術、ヘテロ結晶工学、微細加工プロセス技術、量子効果デバイス工学。 |
|
|
| 1990年〜 |
金属コバルトシリサイド/絶縁体弗化カルシウム多重障壁共鳴トンネルダイオード、ホットエレクトロントランジスタ |
|
|
| 1993年〜 |
単結晶弗化カルシウム中へのナノクリスタルシリコン形成と発光現象の研究 |
|
|
| 1998年〜 |
シリコン/弗化カルシウム,弗化カドミウム/弗化カルシウム多重ヘテロ構造の形成と微分負性抵抗の観測、酸化亜鉛/弗化カルシウムヘテロ構造からの室温紫外線発光 |
|
|
| 2001年〜 |
ナノエリアローカルエピタキシー法の提案とデバイス応用 |
|
|
|
 |
|
| |
| 1994年2月 |
丹羽記念賞（平成5年度）受賞 |
| 2002年3月 |
丸文研究奨励賞(平成13年度)受賞 |
|
|
|
|
|
学位論文
Fundamental Study of Metal/Insulator Heterostructure Devices
東京工業大学（平成５年３月）
学術論文
|
[1]
|
M. Watanabe, H. Muguruma, M. Asada, and S. Arai: Low temperature (〜420℃) epitaxial growth of CaF2/Si(111) by Ionized-Cluster-Beam technique; Jpn. J. Appl. Phys., 29, [9] 1803〜1804(1990)
|
|
[2]
|
T. Sakaguchi, M. Watanabe, M. Asada: Proposal and Analysis of Quantum-Interference High-Speed Electron Devices Using Metal-Insulator Heterostructure; IEICE Trans., E74, [10] 3326〜3333(1991)
|
|
[3]
|
M. Watanabe, S. Muratake, H. Fujimoto, S. Sakamori, M. Asada and S. Arai: Epitaxial Growth of Metal (CoSi2)/ Insulator(CaF2) Nanometer-Thick Layered Structure on Si(111); Jpn. J. Appl. Phys., 31, [2A] L116〜L118(1992)
|
|
[4]
|
M. Watanabe, S. Muratake, H. Fujimoto, S. Sakamori, M. Asada and S. Arai: Epitaxial Growth and Electrical Conductance of Metal (CoSi2)/ Insulator (CaF2) Nanometer-Thick Layered Structure on Si(111); J. Electron. Mater., 21, [8] 783〜789(1992)
|
|
[5]
|
S. Muratake, M. Watanabe, T. Suemasu and M. Asada: Transistor Action of Metal (CoSi2)/ Insulator (CaF2) Hot Electron Transistor Structure; Electron. Lett., 28, [11] 1002〜1003(1992)
|
|
[6]
|
T. Suemasu, M. Watanabe, M. Asada and N. Suzuki: Room Temperature Negative Differential Resistance of Metal (CoSi2)/ Insulator(CaF2) Resonant Tunneling Diode; Electron. Lett., 28, [15] 1432〜1433(1992)
|
|
[7]
|
M. Watanabe, T. Suemasu, S. Muratake and M. Asada: Negative Differential Resistance of Metal (CoSi2)/Insulator(CaF2) Triple-Barrier Resonant Tunneling Diode; Appl. Phys. Lett., 62, [3] 300〜302(1993)
|
|
[8]
|
M. Watanabe, N. Suzuki and M. Asada: Reflection High-Energy Electron Diffraction Oscillation during CaF2 growth on Si(111) by Partially Ionized-Beam-Epitaxy; Jpn. J. Appl. Phys., 32, [] 940〜941(1993)
|
|
[9]
|
T. Suemasu, M. Watanabe, J. Suzuki, Y. Kohno, M. Asada and N. Suzuki: Metal(CoSi2)/Insulator(CaF2) Resonant Tunneling Diode; Jpn. J. Appl. Phys., 33, [1A] 57〜65(1994)
|
|
[10]
|
T. Suemasu, Y.Kohno, N.Suzuki, M.Watanabe and M.Asada: Different Characteristics of Metal (CoSi2)/ Insulator(CaF2) Resonant Tunneling Transistors Depending on Base Quantum-Well Layer; IEICE Trans., E77-C, [9] 1450〜1454(1994)
|
|
[11]
|
T. Suemasu, Y. Kohno, W. Saitoh, N. Suzuki, M. Watanabe, and M. Asada: Quantum interference of electron wave in metal(CoSi2)/ insulator(CaF2) resonant tunneling hot electron transistor structure; Jpn. J. Appl. Phys., 33, [] L1762〜L1765(1994)
|
|
[12]
|
T. Suemasu, Y. Kohno, W. Saitoh, M.Watanabe, and M. Asada: Theoretical and measured characteristics of metal(CoSi2)/ Insulator(CaF2) resonant tunneling transistors and the influence of parasitic elements; IEEE Trans. Electron Devices, 42, [12] 2203〜2210(1995)
|
|
[13]
|
W. Saitoh, T. Suemasu, Y. Kohno, M. Watanabe, and M. Asada: Multiple negative differential resistance due to quantum interference of Hot electron waves in metal(CoSi2)/insulator(CaF2) heterostructures and influence of parasitic elements; Jpn. J. Appl. Phys, 34, [8B] 4481〜4484(1995)
|
|
[14]
|
M. Watanabe, F. Iizuka, and M. Asada: Formation of silicon and cobalt silicide nanoparticles in CaF2; Jpn. J. Appl. Phys, 34, [8B] 4380〜4383(1995)
|
|
[15]
|
W. Saitoh, T. Suemasu, Y. Kohno, M. Watanabe, and M. Asada: Metal(CoSi2)/insulator(CaF2) hot electron transistor fabricated by electron-beam lithography on a Si substrate; Jpn. J. Appl. Phys, 34, [10A] 1254〜1256(1995)
|
|
[16]
|
T. Suemasu, W. Saitoh, Y. Kohno, K. Mori, M. Watanabe, and M. Asada: Transfer efficiency of hot electrons in a metal(CoSi2)/ insulator(CaF2) quantum interference transistor; Surface science, 361/362, [] 209〜212(1996)
|
|
[17]
|
M. Watanabe, F. Iizuka, and M. Asada: Visible Light Emission from Nanocrystalline Silicon Embedded in CaF2 Layers on Si(111); IEICE Trans., E79-C, [11] 1562〜1567(1996)
|
|
[18]
|
H. Hongo, T. Hattori, Y. Miyamoto, K. Furuya, T. Matsunuma, M. Watanabe, and M. Asada: Seventy nm Pitch Patternings on CaF2 by e-beam Exposure: An Inorganic Resist and a Contamination Resist; Jpn. J. Appl. Phys., 35, [12A] 6342〜6343(1996)
|
|
[19]
|
W. Saitoh, K. Yamazaki, M. Asada and M. Watanabe: Proposal and Analysis of Very Short Channel Field Effect Transistor Using Vertical Tunneling with New Heterostructures on Silicon; Jpn. J. Appl. Phys., 35, [9A] L1104〜L1106(1996)
|
|
[20]
|
F. Vazquez, D. Kobayashi, I. Kobayashi, Y. Miyamoto, K,Furuya, T.Maruyama, M. Watanebe, and M. Asada: Detection of hot electron current with scanning hot electron microscopy; Appl. Phys. Lett., 69, [15] 2196〜2198(1996)
|
|
[21]
|
W. Saitoh, K. Mori, H. Sugiura, T. Maruyama, M. Watanabe and M. Asada: Reduction of Electriacl Resistance of Nanometer-Thick CoSi2 Film on CaF2 by pseudomorphic growth of CaF2 on Si(111); Jpn. J. Appl. Phys., 36, [7A] 4470〜4471(1997)
|
|
[22]
|
M. Watanabe, W. Saitoh, Y. Aoki, J. Nishiyama: Epitaxial growth of nanometer-thick CaF2/CdF2 heterostructures using partially ionized beam epitaxy; Solid State Electron., 42, [7-8] 1627〜1630(1998)
|
|
[23]
|
M. Watanabe, T. Matsunuma, T. Maruyama, Y. Maeda: Electroluminescence of Nanocrystal Si Embedded in Single-Crystal CaF2/Si(111); Jpn. J. Appl. Phys., 37, [5B] L591〜L593(1998)
|
|
[24]
|
M. Watanabe, Y. Aoki, W. Saitoh and M. Tsuganezawa: Negative Differential Resistance of CdF2/CaF2 Resonant Tunneling Diode on Si(111) Grown by Partially Ionized Beam Epitaxy; Jpn. J. Appl. Phys., 38, [2A] L116〜L118(1999)
|
|
[25]
|
M. Watanabe, T. Maruyama, S. Ikeda: Light emission from Si nanocrystals embedded in CaF2 epilayers on Si(111): effect of rapid thermal annealing; J. Luminescence, 80, 253〜256(1999)
|
|
[26]
|
T. Maruyama, N. Nakamura, and M. Watanabe: Visible electroluminescence from Nanocrystalline Silicon Embedded in Single-Crystalline CaF2/Si(111) with Rapid Thermal Anneal; Jpn. J. Appl. Phys., 38, [8B] L904〜L906(1999)
|
|
[27]
|
M. Tsutsui, M. Watanabe, and M. Asada: Resonant tunneling diodes in Si/CaF2 heterostructures grown by molecular beam epitaxy; Jpn. J. Appl. Phys., 38, [8B] L920〜L922(1999)
|
|
[28]
|
T. Maruyama, N. Nakamura, and M. Watanabe: Improvement of the Visible Electroluminescence from Nanocrystalline Silicon Embedded in CaF2 on Si(111) Substrate Prepared by Rapid Thermal Annealling, Jpn. J. Appl. Phys., 39 [4B], 1996〜2000 (2000)
|
|
[29]
|
M. Watanabe, Y. Maeda, and S. Okano: Epitaxial Growth and Ultraviolet Photoluminescence of CaF2/ZnO/CaF2 Heterostructures on Si(111), Jpn. J. Appl. Phys., 39 [6A], L500〜L502 (2000)
|
|
[30]
|
M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji, N. Sakamaki: CaF2/CdF2 Double-Barrier Resonant Tunneling Diode with High Room-Temperature Peak-to-Valley Ratio,, Jpn. J. Appl. Phys., 39 [7B], L716〜L719 (2000)
|
|
[31]
|
M. Watanabe, Y. Iketani, M. Asada: Epitaxial Growth and Electrical Characteristics of CaF2/Si/CaF2 Resonant Tunneling Diode Structures Grown on Si(111) 1°-off Substrate, Jpn. J. Appl. Phys., 39 [10A], L964〜L967 (2000)
|
|
[32]
|
T.Maruyama，N. Nakamura, and M. Watanabe: Theoretical Analysis of the Threshold Current Density in BeMgZnSe Quantum Well Ultraviolet Lasers, Jpn. J. Appl. Phys., 40 [12] (2001)
|
|
|
|
 |
| |
| [1] |
M. Watanabe, S. Muratake, H. Fujimoto, S. Sakamori, M. Asada, and S. Arai: Epitaxial Growth of CoSi2/CaF2 heterostructures on Si(111) by Ionized-Cluster-Beam Technique; Electronic Materials Conference (EMC'91), H2, 21〜22(1991) |
| [2] |
T. Suemasu, M. Watanabe, S. Muratake, M. Asada and N. Suzuki: Negative Differential Resistance in Metal(CoSi2)/Insulator(CaF2) Resonant Tunneling Diode; 50th Device Research Conference (DRC'92), IIB-4, (1992) |
| [3] |
M. Asada, M. Watanabe, T. Suemasu, N. Suzuki and Y. Kohno: Metal/Insulator Heterostructure Quantum Devices on Si Substrate; International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'93), D-5-1, 805〜807(1993) |
| [4] |
M. Watanabe, T. Suemasu, J. Suzuki, Y. Kohno, M. Asada and N. Suzuki: CoSi2/CaF2 Resonant Tunneling Diode on Si; Materials Research Society 1993 Fall Meeting (MRS '93), (Invited) D1.4, 135〜135(1993) |
| [5] |
T. Suemasu, Y. Kohno, M. Watanabe, M. Asada and N. Suzuki: Metal(CoSi2)/Insulator(CaF2) Resonant Tunneling Transistor; International Electron Devices Meeting (IEDM '93), 21.5, 553〜556(1993) |
| [6] |
M. Asada, M. Watanabe, T. Suemasu, and Y. Kohno: Metal(CoSi2)/Insulator(CaF2) resonant tunneling diodes and transistors; National Symposium of American Vacuum Society, (Invited) EM-MoA9, (1994) |
| [7] |
M. Watanabe, F. Iizuka, and M. Asada: Formation of Silicon and Cobalt Silicide Nanometer Fine Particles (<10nm) in CaF2; International Workshop on Mesoscopic Physics and Electronics, I22, 126〜127(1995) |
| [8] |
T. Suemasu, W. Saitoh, Y. Kohno, M.Watanabe, and M. Asada: Multiple Negative Differential Resistance due to Quantum Interference of Hot Electron Waves in Metal(CoSi2)/ Insulator(CaF2) Heterostructure; International Workshop on Mesoscopic Physics and Electronics, H2, 86〜87(1995) |
| [9] |
T. Suemasu, Y. Kohno, W. Saitoh, K. Mori, M.Watanabe, and M. Asada: Metal(CoSi2)/Insulator(CaF2) Resonant Tunneling and Interference Transistors Grown on Si Substrate; International Workshop on Quantum Functional Devices, S-11, 56〜57(1995) |
| [10] |
M.Watanabe, F. Iizuka, and M. Asada: Photoluminescence Spectra of Silicon Nanometer Grains (<10nm) Embedded in CaF2Thin Films on Si(111); 1995 Electronic Materials Conference, D3, A6(1995) |
| [11] |
T. Suemasu, W. Saitoh, Y. Kohno, M.Watanabe, and M. Asada: Multiple Negative Differential Resistance due to Quantum Interference of Hot Electron Waves in Metal(CoSi2)/Insulator (CaF2) Heterostructure; International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, PA7, 169〜170(1995) |
| [12] |
W. Saitoh, T. Suemasu, Y. Kohno, M.Watanabe, and M. Asada: Metal(CoSi2)/Insulator(CaF2) Hot Electron Transistor usig Electron-Beam Lithography on Si Substrate; the 25th European Solid State Device Recearch Conference, P1.7, (1995) |
| [13] |
M.Watanabe, T. Suemasu, W. Saitoh, and M. Asada: Metal(CoSi2)/Insulator(CaF2) Heterostructure Quantum Effect Device (Invited Paper); IEEE Lasers and Electro-Optics Society 1995 annual meeting, (Invited) OMP 2.3, 89〜90(1995) |
| [14] |
K. Mori, W. Saitoh, T. Suemasu, Y. Kohno, M. Watanabe, and M. Asada: Room Temperature Observation of Multiple Negative Differential Resistance in a Metal(CoSi2)/Insulator (CaF2) Quantum Interference Transistor Structure; Third International Symposium on "New Phenomena in Mesoscopic Structures", H4, 188〜190(1995) |
| [15] |
F. Vazquez, D. Kobayashi, I. Kobayashi, K. Furuya, Y. Miyamoto, T. Maruyama, M. Watanabe, and M. Asada: Experimental Evidence of Hot Electron Detection with Scanning Hot Electron Microscopy (SHEM); the 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sympo. IV-7, 187〜189(1996) |
| [16] |
M. Asada, M.Watanabe, W. Saitoh, K. Mori, and Y. Kohno: Quantum-Effect Electron Devices Using Metal/Insulator Nanostructures (Invited); the 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sympo. IV-1, 169〜171(1996) |
| [17] |
M. Watanabe, T. Matsunuma, T. Maruyama, and M. Asada: Visible Electroluminescence from Silicon Nanoparticles Embedded in CaF2 on Si(111); Second International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, A3-6, (1996) |
| [18] |
M. Watanabe, T. Matsunuma, T. Maruyama, and M. Asada: Electroluminescence from silicon nanoparticles embedded in CaF2 on Si(111); Phantoms Strategic Domain Meetings (PHASDOM97), D2.23c, (1997) |
| [19] |
W. Saitoh, Y. Aoki, J. Nishiyama, M. Watanabe and M. Asada: Epitaxial growth of Si/CdF2/CaF2 heterostructures on Si substrate; 39th Electronic Materials Conference, U9, 48〜48(1997) |
| [20] |
M. Watanabe, W. Saitoh, Y. Aoki, J. Nishiyama: Epitaxial growth of nanometer-thick CaF2/CdF2 heterostructure using partially ionized beam epitaxy; International Workshop on NANO-PHYSICS AND ELECTRONICS (NPE'97), X09, 156〜157(1997) |
| [21] |
M. Watanabe, T. Maruyama, S. Ikeda: Light Emission from Nanocrystal Si Embedded in CaF2 Epilayers on Si(111): Effect of Rapid Thermal Annealing; E-MRS 1998 Spring Meeting, B-II/P.10, B-29(1998) |
| [22] |
M. Watanabe, Y. Aoki, W. Saitoh, M. Tsuganezawa: Negative Differential Resistance of CdF2/CaF2 Resonant Tunneling Diode on Si(111) Grown by Partially Ionized Beam Epitaxy; 40th Electronic Materials Conference, G9, 13(1998) |
| [23] |
M. Watanabe, Y. Maeda, A. Yamada: Epitaxial growth of nanocrystal ZnO on CaF2/Si(111); 1998 Materials Research Society Fall meeting, D4.8, 84(1998) |
| [24] |
M. Watanabe, Y. Maeda, S. Okano: Epitaxial growth and UV luminescence of CaF2/ZnO/CaF2 heterostructures on Si(111); 41st Electronic Materials Conference, T5, 51(1999) |
| [25] |
M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji, N. Sakamaki: Negative Differential Resistance with Peak to Valley Ratio Greater Than 100,000 of Double Barrier CdF2/CaF2 Resonant Tunneling Diode on Si(111); 42nd Electronic Materials Conference, K7, 23 (2000) |
| [26] |
M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji, N. Sakamaki: Resonant Tunneling Characteristics of CdF2/CaF2 Heterostructures Grown on Silicon; 2000 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 5-4, 57 (2000) |
| [27] |
M. Watanabe, Y. Iketani, M. Asada: Characteristics of Epitaxial Si/CaF2 Resonant Tunneling Diodes Grown on Si(111) 1°-off Substrate; 2000 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 5-6, 63 (2000) |
| [28] |
M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji, N. Sakamaki: Room Temperature Negative Differential Resistance of CdF2-CaF2 Resonant Tunneling Diode on Si(111); 2000 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices, 4.2, 73 (2000) |
| [29] |
M. Watanabe, M. Sakamaki, and T. Ishikawa: Room Temperature Negative Differential Resistance with High Peak-to-Valley Crrent Ratio of CdF2/CaF2 Resonant Tunneling Diode on Silicon; Thirteenth International Conference on Indiumu Phosphide and Related Materials (IPRM'01), WP-30, 244 (2001) |
| [30] |
M. Watanabe, N. Sakamaki, T. Ishikawa, and D. Okamoto: Selective growth of CdF2/CaF2 resonant tunneling diode nanostructure on Si; 43rd 2001 Electronic Materials Conference, Y4, 55 (2001) |
| [31] |
T. Maruyama, N. Nakamura, and M. Watanabe: Epitaxial growth of BeZnSe on CaF2/Si(111) substrate; 43rd 2001 Electronic Materials Conference, Y3, 55 (2001). |
| [32] |
M. Watanabe, N. Sakamaki, and T. Ishikawa: Fine-Area Epitaxy of CdF2/CaF2 Resonant Tunneling Diode on Si; the First International Workshop on Quantum Nonplanar Nanostructureｓ & Nanoelectronics '01 (QNN '01), TuP-29, 185 (2001) |
| [33] |
M. Watanabe, N. Sakamaki, and T. Ishikawa; Feasibility study of CdF2/CaF2 intersubband transition lasers; The 4th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, WC1-5, II-40 (2001) |
| [34] |
M. Watanabe and M. Asada: CaF2/CdF2 Resonant Tunneling Devices with High Peak-to-Valley Ratio on Silicon Substrate (Invited); Frontier Science Research Conference, Science and Technology of Silicon Materials, S-II, (2001) |
|
|
|
 |
| |
| [1] |
渡辺正裕, 六車仁志, 浅田雅洋, 荒井滋久: ICB-CaF2膜における絶縁耐圧の加速電圧依存性; 第36回応用物理学会関係連合講演会, 3p-L-1, [2] 605 (1989) |
| [2] |
渡辺正裕, 六車仁志, 浅田雅洋, 荒井滋久: ICB法によるCaF2膜の低温エピタキシャル成長; 第50回応用物理学会学術講演会, 28a-H-5, [2] 472 (1989) |
| [3] |
浅田雅洋, 坂口知明, 渡辺正裕: ナノメータ絶縁膜を用いたLSI用新デバイスの可能性; 電子通信学会全国大会 (シンポジウム), SC-6-4, (1989) |
| [4] |
渡辺正裕, 六車仁志, 村竹茂樹, 浅田雅洋, 荒井滋久: ICB法によるCaF2(111)薄膜上へのCoSi2エピタキシャル成長; 第37回応用物理学会関係連合講演会, 29a-PC-18, [1] 251 (1990) |
| [5] |
坂口知明, 渡辺正裕, 浅田雅洋: 空間電荷制限金属/絶縁体電子デバイスのグリッドバリアモード解析; 電子通信学会全国大会, C-546 (1990) |
| [6] |
渡辺正裕, 六車仁志, 村竹茂樹, 浅田雅洋, 荒井滋久: ICB法による CaF2/CoSi2/CaF2/Si(111) エピタキシャル成長; 第51回応用物理学会学術講演会, 28a-T-11, [1] 275-275(1990) |
| [7] |
坂口知明, 渡辺正裕, 浅田雅洋: 金属/絶縁体へテロ構造を用いた量子サイズ効果高速電子デバイスの理論解析; 電子通信学会全国大会, C-410 (1990) |
| [8] |
渡辺正裕, 村竹茂樹, 藤本寛正, 坂森重則, 浅田雅洋, 荒井滋久: CaF2/Si(111)上CoSi2薄膜の抵抗率測定; 第38回応用物理学会関係連合講演会, 29p-ZF-3, [1] 244 (1991) |
| [9] |
六車仁志, 渡辺正裕, 浅田雅洋, 荒井滋久: 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)超格子のエネルギーバンド構造; 第38回応用物理学会関係連合講演会, 29p-M-3, [3] 1158 (1991) |
| [10] |
渡辺正裕, 村竹茂樹, 藤本寛正, 浅田雅洋: 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)超格子構造のエピタキシャル成長; 第52回応用物理学会学術講演会, 9p-Z-11, [1] 228 (1991) |
| [11] |
末益崇, 渡辺正裕, 村竹茂樹, 浅田雅洋: Siの電子ビーム蒸着によるCaF2/Si(111)上へのCoSi2エピタキシャル成長; 第52回応用物理学会学術講演会, 9p-Z-12, [1] 228 (1991) |
| [12] |
村竹茂樹, 渡辺正裕, 浅田雅洋: CoSi2/CaF2/Si を用いたMISトンネルダイオードの試作; 第52回応用物理学会学術講演会, 12a-N-7, [2] 478 (1991) |
| [13] |
渡辺正裕, 鈴木信弘 , 村竹茂樹, 末益崇, 浅田雅洋: Si(111)基板上CaF2エピタキシーにおけるRHEED強度振動; 第39回応用物理学会関係連合講演会, 29a-ZC-5, [1] 265 (1992) |
| [14] |
渡辺正裕, 末益崇, 村竹茂樹, 浅田雅洋, 鈴木信弘: 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)共鳴トンネルダイオードの負性抵抗特性; 第39回応用物理学会関係連合講演会, 28a-T-5, [3] 1107 (1992) |
| [15] |
渡辺正裕, 村竹茂樹, 末益崇, 浅田雅洋: 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)ホットエレクトロントランジスタの電流増幅動作; 第53回応用物理学会学術講演会, 16a-SZC-17, [3] 1079 (1992) |
| [16] |
末益崇, 渡辺正裕, 浅田雅洋, 鈴木信弘: 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)共鳴トンネルダイオードの室温動作と微分負性抵抗特性; 第53回応用物理学会学術講演会, 17a-ZB-7, [3] 1109 (1992) |
| [17] |
末益崇, 渡辺正裕, 鈴木淳, 浅田雅洋, 鈴木信弘: 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)共鳴トンネルダイオードにおける共鳴電圧制御; 第40回応用物理学会関係連合講演会, 1a-D-2, [3] 1297 (1993) |
| [18] |
鈴木信弘, 河野義史, 末益崇, 渡辺正裕, 浅田雅洋: 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの作製; 第40回応用物理学会関係連合講演会, 1a-D-3, [3] 1298 (1993) |
| [19] |
末益崇, 河野義史, 鈴木信弘, 渡辺正裕, 浅田雅洋: 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)共鳴トンネルトランジスタ; 第54回応用物理学会学術講演会, 29p-ZX-5, [3] 1258 (1993) |
| [20] |
鈴木信弘, 末益崇, 渡辺正裕, 浅田雅洋, 河野義史: 金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)微細ホットエレクトロントランジスタの作製; 第54回応用物理学会学術講演会, 29p-ZX-6, [3] 1258-1258(1993) |
| [21] |
末益崇, 薗田大資, 渡辺正裕, 浅田雅洋, 古屋一仁: Si/CaF2/Si(111)断面のSTM観察; 第54回応用物理学会学術講演会, 29p-ZX-7, [3] 1259 (1993) |
| [22] |
末益崇, 河野義史, 鈴木信弘, 齋藤 渉, 渡辺正裕, 浅田雅洋: 金属（CoSi2）／絶縁体（CaF2）共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの作製; 第41回応用物理学会関係連合講演会, 30p-S-14, [3] 1230 (1994) |
| [23] |
河野義史, 末益崇, 鈴木信弘, 渡辺正裕, 浅田雅洋: 新プロセスによる金属(CoSi2)/絶縁体(CaF2)トンネルホットエレクトロン共鳴トランジスタの作製; 第41回応用物理学会関係連合講演会, 30p-S-15, [3] 1230 (1994) |
| [24] |
鈴木信弘, 末益崇, 渡辺正裕, 浅田雅洋,河野義史: 金属（CoSi2）／絶縁体（CaF2）微細ホットエレクトロントランジスタの作製（II）; 第41回応用物理学会関係連合講演会, 30p-S-16, [3] 1231 (1994) |
| [25] |
渡辺正裕, 岩井 浩, 浅田雅洋: 絶縁体CaF2上への金属Co微粒子の形成; 第41回応用物理学会関係連合講演会, 30p-S-17, [3] 1231 (1994) |
| [26] |
浅田雅洋, 渡辺正裕, 末益崇, 鈴木信弘, 河野義史: 金属／絶縁体ヘテロ接合を用いた量子効果デバイス; 第41回応用物理学会関係連合講演会, 29p-MA-6, (Symposium), [0] 1328 (1994) |
| [27] |
末益崇, 河野義史, 齋藤 渉, 渡辺正裕, 浅田雅洋: 金属（CoSi2）／絶縁体（CaF2）共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの作製（II）; 第55回応用物理学会学術講演会, 19p-T-9, [3] 1061 (1994) |
| [28] |
河野義史, 末益崇, 齋藤 渉, 渡辺正裕, 浅田雅洋: 金属（CoSi2）／絶縁体（CaF2）トンネルホットエレクトロン共鳴トランジスタ; 第55回応用物理学会学術講演会, 19p-T-10, [3] 1061 (1994) |
| [29] |
渡辺正裕, 浅田雅洋: CaF2/Si(111)上への金属Co微粒子の形成; 第55回応用物理学会学術講演会, 20p-MF-14, [1] 232 (1994) |
| [30] |
齋藤 渉, 末益崇, 河野義史, 渡辺正裕, 浅田雅洋: 金属（CoSi2）／絶縁体（CaF2）共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの等価回路モデルによる特性評価; 電気電子通信学会学術講演会, C-420 (1994) |
| [31] |
末益崇, 河野義史, 齋藤 渉, 森 郁, 渡辺正裕, 浅田雅洋: Metal(CoSi2)/ Insulator(CaF2) 共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの低電圧動作化; 第42回応用物理学会関係連合講演会, 30p-ZK-6, [3] 1282 (1995) |
| [32] |
齋藤 渉, 末益崇, 河野義史, 渡辺正裕, 浅田雅洋: 金属（CoSi2）／絶縁体（CaF2）微細ホットエレクトロントランジスタの作製と室温動作; 第42回応用物理学会関係連合講演会, 30p-ZK-7, [3] 1282 (1995) |
| [33] |
渡辺正裕, 飯塚文隆, 浅田雅洋: Si微粒子を分散したCaF2/Si(111)薄膜のフォトルミネッセンス; 第42回応用物理学会関係連合講演会, 29a-H-10, [2] 721(1995) |
| [34] |
森郁, 齋藤渉, 末益崇, 河野義史, 渡辺正裕, 浅田雅洋: 極微細金属（CoSi2）／絶縁体（CaF2）量子干渉トランジスタの作製と室温特性; 第56回応用物理学会学術講演会, 28p-ZM-9, [3] 1101-1101(1995) |
| [35] |
渡辺正裕, 浅田雅洋, 松沼健司: CaF2/Si(111)薄膜中に形成されたナノメータSi微結晶; 第56回応用物理学会学術講演会, 26p-ZD-11, [1] 178 (1995) |
| [36] |
齋藤渉、山崎克之、浅田雅洋、渡辺正裕: 金属／絶縁体ヘテロ構造を用いた電界制御型トンネルトランジスタの理論解析; 第43回応用物理学会関係連合講演会, 26aW6, [3] 1196 (1996) |
| [37] |
松沼健司、丸山武男、渡辺正裕、浅田雅洋: CaF2ナノクリスタルシリコンからのEL発光の成長条件依存性; 第43回応用物理学会関係連合講演会, 26aZF5, [1] 214 (1996) |
| [38] |
末益崇、齋藤渉、森郁、河野義史、渡辺正裕、浅田雅洋: CoSi2/CaF2量子干渉トランジスタの微分負性抵抗を用いたホットエレクトロン輸送効率導出; 第43回応用物理学会関係連合講演会, 28p-W11, [3] 1266 (1996) |
| [39] |
服部哲也、本郷廣生、宮本恭幸、古屋一仁､松沼健司、渡辺正裕、浅田雅洋: 電子ビーム露光によるCaF2無機レジスト70nm周期パターニング; 第43回応用物理学会関係連合講演会, 26a-SZW-27, [2] 565 (1996) |
| [40] |
松沼健司、丸山武男、渡辺正裕、浅田雅洋: CaF2ナノクリスタルシリコンからのEL発光スペクトル; 第57回応用物理学会学術講演会, 8p-V15, [2] 679 (1996) |
| [41] |
齋藤渉、森郁、杉浦秀和、丸山武男、渡辺正裕、浅田雅洋: CaF2上極薄膜CoSi2電気抵抗のCaF2結晶依存性; 第57回応用物理学会学術講演会, 8p-ZE17, [1] 200 (1996) |
| [42] |
青木雄一, 西山淳, 齋藤渉, 渡辺正裕, 浅田雅洋: CaF2/CdF2ヘテロ接合を用いた量子井戸サブバンド間遷移レーザの解析; 第44回応用物理学会関係連合講演会, 28a-ZA-6, [3] 1202 (1997) |
| [43] |
齋藤渉, 青木雄一, 西山淳, 渡辺正裕, 浅田雅洋: Si基板上Si/CdF2/CaF2ヘテロ構造エピタキシャル成長; 第44回応用物理学会関係連合講演会, 30a-A-3, [1] 294 (1997) |
| [44] |
賈学英, 小島隆, 早船嘉典, 田村茂雄, 渡辺正裕, 荒井滋久: 近接効果補正露光による量子細線構造のサイズ揺らぎの低減; 第44回応用物理学会関係連合講演会, 29a-X-4, [2] 586 (1997) |
| [45] |
渡辺正裕, 池谷吉史, 杉浦秀和, 吉田和史: イオンビームアシストを用いた低オフ角Si(111) 基板上へのCaF2エピタキシャル成長; 第58回応用物理学会学術講演会, 4p-V-16, [1] 394 (1997) |
| [46] |
青木雄一, 齋藤渉, 西山淳, 渡辺正裕: イオンビーム法を用いたCaF2/CdF2ヘテロ超格子の低温エピタキシャル成長; 第58回応用物理学会学術講演会, 5a-ZF-2, [3] 1328 (1997) |
| [47] |
山田淳, 前田泰久, 渡辺正裕: CaF2/Si(111)基板上ZnOナノ構造形成とPL発光スペクトル; 第58回応用物理学会学術講演会, 3a-ZH-9, [3] 1282 (1997) |
| [48] |
青木雄一、津金澤みか、齋藤渉、渡辺正裕: CaF2/CdF2ヘテロ超格子による3重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗; 第45回応用物理学会関係連合講演会, 28a-R-2, [3] 1274 (1998) |
| [49] |
前田泰久、山田淳、渡辺正裕: CaF2/Si(111)基板上ZnOナノ構造からのEL発光スペクトル; 第45回応用物理学会関係連合講演会, 29a-S-2, [3] 1301 (1998) |
| [50] |
長田勝玄、青木雄一、津金澤みか、渡辺正裕: Si/CaF2超格子によるサブバンド間遷移レーザレーザの解析; 第45回応用物理学会関係連合講演会, 30p-R-4, [3] 1332 (1998) |
| [51] |
丸山武男、池田総太郎、渡辺正裕: CaF2/Si(111)薄膜中に形成されたSi微結晶からのPL発光スペクトルの成長条件依存性; 第45回応用物理学会関係連合講演会, 29a-p-8, [2] 838 (1998) |
| [52] |
丸山武男、中村尚人、渡辺正裕: CaF2/Si(111)薄膜中に形成されたSi微結晶からのPL発光スペクトルのRTA雰囲気依存性; 第59回応用物理学会学術講演会, 16a-ZE-8, [2] 795 (1998) |
| [53] |
岡野俊一、前田泰久、渡辺正裕: Si(111)基板上CaF2/ZnO/CaF2ヘテロエピタキシャル構造からのEL紫外線発光; 第46回応用物理学会関係連合講演会, 28a-ZA-9, [3] 1401 (1999) |
| [54] |
中村尚人、丸山武男、渡辺正裕: CaF2/Si(111)薄膜中Si微結晶からのEL発光; 第60回応用物理学会学術講演会, 3p-ZN-15, [2] 768 (1999) |
| [55] |
筒井将史、渡辺正裕、浅田雅洋: Si/CaF2ヘテロ構造共鳴トンネルダイオードの作製と評価; 第60回応用物理学会学術講演会, 2p-ZL-9, [2] 756 (1999) |
| [56] |
池谷吉史、渡辺正裕、浅田雅洋: テラス幅を制御したSi(111)1゜off 基板上へのCaF2イオンビームエピタキシャル成長; 第60回応用物理学会学術講演会, 1p-T-4, [1] 342 (1999) |
| [57] |
舟山敏之、寺地耐志、渡辺正裕: CdF2/CaF2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性, 第47回応用物理学会関係連合講演会, 30a-YD-7, [3] 1340 (2000) |
| [58] |
池谷吉史、渡辺正裕、浅田雅洋: Si(111)1°-off基板上Si/CaF2二重障壁共鳴トンネルダイオードの作製と評価, 第47回応用物理学会関係連合講演会, 30a-YD-8, [3] 1340-1340 (2000) |
| [59] |
丸山武男、中村尚人、渡辺正裕: CaF2/Si(111)基板上へのBeSe成長, 第61回応用物理学会学術講演会, 4p-Z-8, [1] 236-236 (2000) |
| [60] |
鈴木充典、岡野俊一、渡辺正裕: Si(111)上ZnO/CaF2ヘテロエピタキシャル構造からのPL紫外線発光, 第61回応用物理学会学術講演会, 3p-ZK-1, [3] 1195 (2000) |
| [61] |
酒巻直人、渡辺正裕: CdF2/CaF2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性, 第61回応用物理学会学術講演会, 6a-ZR-9, [3] 1166 (2000) |
| [62] |
丸山武男, 中村尚人, 渡辺正裕: CaF2/Si(111)基板上へのBeZnSeエピタキシャル成長, 第48回応用物理学会関係連合講演会, 28p-K-13 (2001) |
| [63] |
鈴木充典，岡野俊一，渡辺正裕: CaF2/Si基板上ZnO薄膜の酸素雰囲気中アニール, 第48回応用物理学会関係連合講演会, 31a-YL-2 (2001) |
| [64] |
岡野俊一，鈴木充典，渡辺正裕: CaF2/Si(111)基板上ZnO薄膜のN.Gaコドーピング法による不純物制御, 第48回応用物理学会関係連合講演会, 31a-YL-3 (2001) |
| [65] |
石川 達也, 酒巻 直人, 岡本 大輔, 渡辺 正裕: ナノ領域選択成長によるCdF2/CaF2 共鳴トンネルダイオードの作製と評価, 第48回応用物理学会関係連合講演会, 29a-YD-2 (2001) |
| [66] |
丸山武男，中村尚人，新山勇樹，渡辺正裕: GaP(001)基板上に成長したBeZnSeからの室温紫外線PL発光, 第62回応用物理学会学術講演会, 11a-P1-2, [1] 207 (2001) |
| [67] |
中村尚人，丸山武男，新山勇樹，渡辺正裕: GaP(001)基板上へのBeMgZnSeエピタキシャル成長, 第62回応用物理学会学術講演会, 11a-P1-3, [1] 207 (2001) |
| [68] |
松田克己，石川達也，金澤徹，渡辺正裕，浅田雅洋: Si(100)基板上CdF2/CaF2共鳴トンネルダイオードの作製と評価, 第49回応用物理学会関係連合講演会, 27p-YH-3 (2002) |
|
|
|
 |
| |
| [1] |
M. Watanabe, T. Suemasu, S. Muratake, and M. Asada: Negative Differential Resistance Characteristics of Metal (CoSi2)/ Insulator (CaF2) Resonant Tunneling Diode; 電子情報通信学会（電子デバイス研究会） IEICE Technical Report, vol.92, no.10, 83〜88(1992) |
| [2] |
M.Watanabe, T.Suemasu, N.Suzuki, and M.Asada: Resonant Tunneling Diode with Metal (CoSi2)/ Insulator (CaF2) Ultra-thin Multilayered Structure on Si(111); 応用物理学会（応用電子物性分科会） JSAP Technical Report, AP 932204, no.447, 31〜36(1993) |
| [3] |
W. Saitoh, M. Tsutsui, Y. Aoki, K. Yamazaki, J. Nishiyama, M. Watanabe, M. Asada: Field-Effect Quantum Devices with Si/CdF2 Quantum-Well Structure on Si substrate; 電子情報通信学会（電子デバイス研究会） IEICE Technical Report, ED97-6, SDM97-6, 35〜42(1997) |
| [4] |
M. Asada, M. Watanabe, W. Saitoh, K. Mori, and Y. Kohno: Quantum-Effect Electron Devices Using Metal(CoSi2)/Insulator(CaF2)/Si Heterostructures; 電子情報通信学会（電子デバイス研究会） IEICE Technical Report, ED96-2, (1996) |
| [5] |
M. Watanabe, M. Tsutsui, and M. Asada: Resonant Tunneling Diode Silicon Substrate using Si-CaF2 and CdF2-CaF2 Heterostructures; 電子情報通信学会（電子デバイス研究会） IEICE Technical Report, ED99-316(SDM99-209), 73 (2000) |
| [6] |
M. Watanabe, T. Ishikawa, M. Matsuda, T. Kanazawa, and M. Asada: CdF2/CaF2 Resonant Tunneling Diode Grown on Si(111) and Si(100) Substrate using Nano-area Epitaxy; 電子情報通信学会（電子デバイス研究会） IEICE Technical Report, ED2001-242 (SDM2001-245), 65-70 (2002) |
|
| |
| |
|
【解説記事】
1. M. Watanabe, T.Suemasu, and M.Asada (渡辺正裕、末益 崇、浅田雅洋): Metal/insulator heterostructure electron devices「金属／絶縁体ヘテロ接合電子デバイス」; A monthly publication of the Jpn. Soc. of Appl. Phys., (応用物理 解説記事), 63, [2] 124〜131(1994) |
| |
|
 |
|
※「1期生」 ＝ 平成13年度採用研究者 2001年〜2004年
※「2期生」 ＝ 平成14年度採用研究者 2002年〜2005年
※「3期生」 ＝ 平成15年度採用研究者 2003年〜2006年
|
|
|
|
|
