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市田正夫 王正明 古賀貴亮 菅原聡 竹内淳 田中秀和 戸田泰則 古薗勉 水野清義 渡辺正裕
研究者紹介
 
量子ドット中のキャリアスピン操作
竹内 淳 (たけうち あつし)
(早稲田大学 理工学部応用物理学科 教授)
  URL: http://www.f.waseda.jp/atacke/

生年 1960年  
出身地 徳島県
学歴
 
1983年3月 大阪大学 基礎工学部 物性物理工学科 卒
1985年3月 大阪大学 大学院 基礎工学研究科 修了
1992年7月 博士号取得(理学、阪大)

職歴
 
1985年4月 富士通研究所入社
1992年9月〜'93年9月 マックスプランク固体研究所 (独、stuttgart) 客員研究員
1996年4月〜'97年3月 フェムト秒テクノロジー研究機構研究員(つくば、出向)
1997年3月 富士通研究所退職
1997年4月 早稲田大学 理工学部 助教授
2002年4月 早稲田大学 理工学部 教授(現在に至る)

研究歴
 
  以上の全期間を通じて半導体量子構造の超高速現象(スピン緩和過程、トンネル効果など)を研究。
発表論文リスト >>>さきがけ研究
 
[1] 「半導体量子構造のスピン物性と電子スピンを用いた量子演算の可能性」, 武藤俊 一, 竹内 淳, 応用物理, 70巻 2001年 pp. 291-295.
[2] "Free Carrier Screening of Quantum-Confined Stark Effect Affecting on Luminescence and Carrier Lifetime in InGaN Quantum Wells", T. Kuroda and A. TackeuchiIPAP Conf. Series 1巻 2001年 pp.516-519.
[3] "Observation of interdot tunneling process of spin-polarized electrons",A. Tackeuchi, Y. Nakata, R. Sasou, K. Mase, T. Kuroda and N. Yokoyama Physica E, 10巻 2001年 pp. 32-35.
[4] "Dynamics of Carrier Tunneling between Vertically Aligned Double Quantum Dots",A. Tackeuchi, T. Kuroda, K. Mase, Y. Nakata, and N. Yokoyama,Phys. Rev. B, 62巻 2000年 pp. 1568-1571.
[5] "Luminescence Energy Shift and Carrier Lifetime Change Dependence on Carrier Density in InGaN/InGaN Quantum Wells", T. Kuroda, A. Tackeuchi and T. Sota,Appl. Phys. Lett. 76巻 2000年 pp.3753-3755.
[6] "No Spin Polarization of Carriers in InGaN"A. Tackeuchi, T. Kuroda, A. Shikanai, T. Sota, A. Kuramata and K. Domen,Physica E 7巻 2000年 pp.1011-1014.
[7] "A Pump and Probe Study on Photoinduced Internal Field Screening Dynamics in an AlGaN/GaN Single Quantum Well Structure"A. Shikanai, T. Deguchi, T. Sota, T. Kuroda, A. Tackeuchi, S. Chichibu and S. Nakamura,Appl. Phys. Lett. 76巻 2000年 454.
[8] "Picosecond Electron Spin-relaxation in GaAs/AlGaAs Quantum Wells and InGaAs/InP Quantum Wells", A. Tackeuchi, T. Kuroda, S. Muto and O. Wada,Physica B 272巻 1999年 pp.318-323.
[9] "Electron Spin-relaxation Dynamics in GaAs/AlGaAs Quantum Wells and InGaAs/InP Quantum Wells", A. Tackeuchi, T. Kuroda, S. Muto, Y. Nishikawa and O. Wada, Jpn. J. Appl. Phys. 38巻 1999年 pp.4680-4687.
[10] "Electron Spin-relaxation in GaAs/AlGaAs Quantum Wires analyzed by transient photoluminescence"T. Nishimura, X. Wang, M. Ogura, A. Tackeuchi and O. wada, Jpn. J. Appl. Phys. 38巻 1999年 pp.L941-L944.
[11] "Carrier mobility dependence of electron spin relaxation in GaAs quantum wells"R. Terauchi, Y. Ohno, T. Adachi, A. Sato, F. Matsukura, A. Tackeuchi and H. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys. 38巻 1999年 pp.2549-2551.
[12] "Electron Spin Relaxation Dynamics in InGaAs/InP Multiple-quantum Wells", A. Tackeuchi and O. Wada, Jpn. J. Appl. Phys. 37巻 1998年 pp.98-99.
[13] "Carrier dynamics of quantum confined structures"S. Muto and A. Tackeuchi,Materials Science and Engineering, R22巻 1998年 pp. 79-111.
[14] 「半導体量子井戸におけるスピン緩和のダイナミクス」, 竹内 淳, 和田 修応用 物理, 1997年9月号, pp.960-964.
 
※「1期生」 = 平成13年度採用研究者 2001年〜2004年
※「2期生」 = 平成14年度採用研究者 2002年〜2005年
※「3期生」 = 平成15年度採用研究者 2003年〜2006年
 
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