2009 Researchers

Masataka HIGASHIWAKI

paper

[8] K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Ga2O3 Schottky barrier diodes fabricated by using single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates", to be published in IEEE Electron Device Letters.

[7] 東脇　正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸, "酸化ガリウムをパワー素子に　―SiCよりも安く、高性能に―", 日経エレクトロニクス4月2日号、pp. 81-89 (2012) (Japanese).

[6] Masataka Higashiwaki, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Takekazu Masui, and Shigenobu Yamakoshi, "Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal beta-Ga2O3 (010) substrates", Applied Physics Letters vol. 100, pp. 013504 (2012).

[5] Rajkumar Santhakumar, Brian Thibeault, Masataka Higashiwaki, Stacia Keller, Zhen Chen, Umesh K. Mishra, and Robert A. York, "Two-stage high-gain high-power distributed amplifier using dual-gate GaN HEMTs", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 59, No. 8, pp. 2059-2063 (2011).

[4] Masataka Higashiwaki, Yi Pei, Rongming Chu, and Umesh K. Mishra, "Effects of barrier thinning on small-signal and 30-GHz power characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors", IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 58, No. 6, pp. 1681-1686 (2011).

[3] Luke Gordon, Mao-Sheng Miao, Srabanti Chowdhury, Masataka Higashiwaki, Umesh K. Mishra, and Chris G. Van de Walle, "Distributed surface donor states and the two-dimensional electron gas at AlGaN/GaN heterojunctions", Journal of Physcs D: Applied Physics vol. 43, pp. 505501 (2010).

[2] Masataka Higashiwaki, Srabanti Chowdhury, Brian L. Swenson, and Umesh K. Mishra, "Effects of oxidation on surface chemical states and barrier height of AlGaN/GaN heterostructures", Applied Physics Letters vol. 97, pp. 222104 (2010).

[1] Masataka Higashiwaki, Srabanti Chowdhury, Mao-Sheng Miao, Brian L. Swenson, Chris G. Van de Walle, and Umesh K. Mishra, "Distribution of donor states on etched surface of AlGaN/GaN heterostructures", Journal of Applied Physics vol. 103, pp. 063719 (2010).

presentation

[22] 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸, "単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード", 電子情報通信学会ED, CPM, LQE合同研究会、 大阪市立大学 学術情報総合センター、2012/11/29, 30 (Japanese).

[21] Y. Sugiura, T. Yamaguchi, T. Honda, M. Higashiwaki, "In-situ RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures", 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), Kobe Convention Center, 2013/05/19-23.

[20] K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Growth temperature dependence of β-Ga2O3 homoepitaxial films grown by molecular beam epitaxy", 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), Kobe Convention Center, 2013/05/19-23.

[19] M. Higashiwaki, D. Krishnamurthy, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Al2O3/n-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor diodes", 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS2013), Fulton Hotel Danshuei Fishermen's Wharf, Tamsui, New Taipei City, Taiwan, 2013/05/12-15.

[18] T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, and T. Honda, "Temperature dependent cathodoluminescence spectra of β-Ga2O3 crystals", 1st Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13), Pacifico Yokohama, 2013/04/23-25.

[17] 尾沼猛儀、藤岡秀平、山口智広、東脇正高、佐々木公平、増井建和、本田徹, "β-Ga2O3結晶の偏光ラマンスペクトル", 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、2013/03/27-30 (Japanese).

[16] 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸, "Sn イオン注入を用いたβ-Ga2O3へのオーミックコンタクト形成", 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、2013/03/27-30 (Japanese).

[15] 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸, "β-Ga2O3 ホモエピタキシャルMBE 成長における成長温度依存性", 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、2013/03/27-30 (Japanese).

[14] 東脇 正高、ダイワシガマニ キルシナムルティ、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸, "Al2O3/n-Ga2O3 MOSダイオード", 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、2013/03/27-30 (Japanese).

[13] 東脇　正高, "新ワイドギャップ半導体酸化ガリウム (Ga2O3) パワーデバイス　～日本発の新たな半導体パワーデバイス産業の創出を目指して～", 第12回 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議 (nano tech 2013)、東京ビッグサイト、2013/01/30-02/01 (Japanese).

[12] 尾沼 猛儀、藤岡 秀平、山口 智広、東脇 正高、佐々木 公平、増井 建和、本田 徹, "酸化ガリウムのCLスペクトルの温度依存性", 2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会、13a-H7-8、愛媛大学、2012/9/11-14 (Japanese).

[11] 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸, "単結晶β-Ga2O3 基板を用いたβ-Ga2O3 ショットキーバリアダイオード", 2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会、12p-F2-4、愛媛大学、2012/9/11-14 (Japanese).

[10] M. Higashiwaki, T. Igaki, T. Yamaguchi, and T. Honda, "In-situ RF-MBE growth of AlOx/n-GaN composite structures", 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Hotel St. Petersburg, 2012/07/16-19.

[9] Kohei Sasaki, Masataka Higashiwaki, Akito Kuramata, Takekazu Masui, and Shigenobu Yamakoshi, "Ga2O3 Schottky barrier diodes fabricated on single-crystal beta-Ga2O3 substrates", Device Research Conference, Penn State University, 2012/06/18-20.

[8] 東脇 正高，井垣 辰浩，山口 智広, 本田 徹, "n-GaN上へのAlOx薄膜のin-situ RF-MBE成長", 2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会、16p-F12-17、早稲田大学、2012/3/15-18 (Japanese).

[7] 東脇　正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸, "単結晶酸化ガリウムMESFET", 2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会、16a-E4-6、早稲田大学、2012/3/15-18 (Japanese).

[6] 東脇　正高, Yi Pei, Rongming Chu, Umesh K. Mishra, "薄層AlGaN障壁層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの小信号および30 GHzパワー特性", 電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会12月研究会「ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム」、東北大、2011/12/14, 15 (Japanese).

[5] Masataka Higashiwaki, Srabanti Chowdhury, Brian L. Swenson, and Umesh K. Mishra, "Study of thermal oxidation effects on surface barrier height of AlGaN/GaN heterostructures", The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010), Marriott Tampa Waterside Hotel & Marina in Tampa, Florida, U.S.A., September 22, 2010.

[4] Masataka Higashiwaki, Srabanti Chowdhury, Brian L. Swenson, and Umesh K. Mishra, "AlGaN/GaNへテロ構造の表面バリアハイトに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響", 第71回応用物理学会学術講演会、16a-P10-11、長崎大学、2010/9/16 (Japanese).

[3] Masataka Higashiwaki, Srabanti Chowdhury, Brian L. Swenson, and Umesh K. Mishra, "低パワーRIEによりエッチングしたAlGaN表面を有するAlGaN/GaNヘテロ構造の表面ドナー準位分布", 第71回応用物理学会学術講演会、16a-P10-10、長崎大学、2010/9/16 (Japanese).

[2] Masataka Higashiwaki, Yi Pei, Rongming Chu, and Umesh K. Mishra, "AlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタにおけるDC-RF周波数分散に対するAlGaN障壁薄層化の影響", 第71回応用物理学会学術講演会、15p-NH-13、長崎大学、2010/9/15 (Japanese).

[1] Masataka Higashiwaki, Srabanti Chowdhury, Brian L. Swenson, and Umesh K. Mishra, "AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響", 電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会6月研究会「半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性）」、北陸先端大、2010/6/17 (Japanese).

invited speech

[27] M. Higashiwaki, K. Sasaki, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Research and development of Ga2O3 power devices", 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), Hilton Fukuoka Sea Hawk Hotel, 2013/09/24-27.

[26] 東脇 正高、佐々木 公平、ダイワシガマニ キルシナムルティ、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸, "Ga2O3パワーデバイスの研究開発の現状と今後", 応用物理学会電子物性分科会研究会 (Japanese, 2013/6/7).

[25] M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Development of gallium oxide power devices", 2013 DPG (German Physical Society) Spring Meeting, the University of Regensburg, Regensburg, Germany, 2013/03/10-15.

[24] M. Higashiwaki, D. Krishnamurthy, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Device process techniques for gallium oxide (Ga2O3) electrical devices", 2013 Workshop on Compound Semiconductor Materials & Devices (WOCSEMMAD), Le Pavillon Hotel, New Orleans, Louisiana, USA, 2013/02/17-20.

[23] 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸, "Development of gallium oxide power devices", 第32回電子材料シンポジウム (EMS-32)、ラフォーレ琵琶湖、2013/07/10-12 (Japanese).

[22] 東脇 正高, "新ワイドバンドギャップ半導体酸化ガリウムデバイスの研究開発動向", 『プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会』第121回研究会、主婦会館プラザエフ9F、2012/10/26 (Japanese).

[21] 東脇 正高, "新ワイドバンドギャップ半導体酸化ガリウムデバイスの研究開発動向", 日本半導体商社協会最新技術講演会、伯東㈱本社8F、2012/10/25 (Japanese).

[20] 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、ガルシア ビジョラ、島村 清史、山腰 茂伸, "Ga2O3のMBE成長とパワーデバイス応用", 日本学術振興会透明酸化物光・電子材料第166委員会第57回研究会、アイビーホール青学会館、2012/10/19.

[19] M. Higashiwaki, "Present status and future prospects of AlGaN for nitride-based electrical devices", Intensive Discussion on Crystal Growth of Nitride Semiconductors", 東北大片平キャンパスさくらホール, 2012/10/22, 23.

[18] M. Higashiwaki, "Potential applications of wide bandgap semiconducting oxides", International Workshop on "Novel Semiconducting Oxides", Schrödinger Zentrum, Campus Adlershof, Humboldt University, 2012/10/08.

[17] K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "MBE grown Ga2O3 and its power device applications", The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), TuB-3-1, Nara Prefectural New Public Hall, 2012/9/23-28.

[16] M. Higashiwaki, S. Chowdhury, B. L. Swenson, U. K. Mishra, T. Igaki, T. Yamaguchi, and T. Honda, "Interface Control of III-Oxide/Nitride Composite Structures", 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), I-1-1, Kyoto International Conference Center, 2012/9/25-27.

[15] Masataka Higashiwaki, "New widegap semiconductor gallium oxide (Ga2O3) power devices", Invited seminar; HRL Laboratories, LLC, 2012/08/31.

[14] Masataka Higashiwaki, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Takekazu Masui, and Shigenobu Yamakoshi, "Single-crystal gallium oxide metal-semiconductor field-effect transistors", 39th International Symposium on Compound Semiconductors, University of California, Santa Barbara, 2012/08/26-30.

[13] 東脇 正高, "Ga2O3電子デバイス研究開発の現状と今後", 日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会第82回研究会、首都大学東京　秋葉原サテライトキャンパス、2012/08/01 (Japanese).

[12] 東脇 正高, "新ワイドバンドギャップ半導体酸化ガリウムデバイスの研究開発動向", 日本ファインセラミックス協会イブニングセミナー、一光浜松町ビル５階、2012/07/26 (Japanese).

[11] 東脇 正高, "Single-crystal gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors", 第31回電子材料シンポジウム、ラフォーレ修善寺、2012/07/11-13 (Japanese).

[10] 東脇　正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸, "酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状と今後", 電気学会「クライド時代のユビキタス電子デバイス」調査専門委員会、法政大マイクロ・ナノテクノロジー研究センター、2012/07/10 (Japanese).

[9] Masataka Higashiwaki, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Takekazu Masui, and Shigenobu Yamakoshi, "New widegap semiconductor Ga2O3 MESFETs and Schottky barrier diodes", 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, 2012/06/27-29.

[8] 東脇 正高, "新材料：酸化ガリウム ～SiCよりも安くて高性能なパワー素子を目指して～", 日経エレクトロニクス「パワー半導体フォーラム 2012」、化学会館、2012/06/26 (Japanese).

[7] Masataka Higashiwaki, "New widegap semiconductor gallium oxide (Ga2O3) power devices", Graduate school seminar; Department of Electrical and Computer Engineering, Ohio State University, 2012/06/15.

[6] 東脇 正高, "酸化ガリウムパワーデバイスの開発・技術動向と 応用及び今後の展開", 日本技術情報センターセミナー「低コスト化進む次世代パワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開」、メディアボックス（新宿）、2012/5/31 (Japanese).

[5] 藤田 静雄、東脇 正高、佐々木 公平、倉又 朗人 、増井 建和 、山腰 茂伸 、大島 孝仁 、大友 明, "ワイドギャップ半導体酸化ガリウムの基本特性と応用", 日本学術振興会透明酸化物光・電子材料第166委員会第55回研究会、アイビーホール青学会館、2012/4/27 (Japanese).

[4] 藤田 静雄、東脇　正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸、大島 孝仁、大友 明, "酸化ガリウム半導体の機能とデバイス応用", 日本学術振興会第161, 162委員会合同研究会「AlGaN, II-VI族, 酸化物の伝導制御とデバイス展開～ワイドギャップ半導体を俯瞰して～」、主婦会館プラザエフ、2012/3/2 (Japanese).

[3] 東脇　正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸, "単結晶酸化ガリウムMESFET", SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第２０回講演会、ウィンク愛知、2011/12/8, 9 (Japanese).

[2] 東脇　正高, "米国における窒化物半導体開発動向; 超高周波GaN 電子デバイス", 第10 回窒化物半導体応用研究会、2011/3/10 (Japanese).

[1] Masataka Higashiwaki, Srabanti Chowdhury, Yi Pei, Rongming Chu, Brian L. Swenson, and Umesh K. Mishra, "AlGaN/GaNヘテロ構造における表面ドナー準位とドレイン電流コラプス", 電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会11月研究会「GaNトランジスタの進展と課題（パネルディスカッション）」、大阪大学中之島センター (Japanese, 2010/11/12).

publications

[7] 東脇　正高、佐々木 公平, "新規ワイドギャップ半導体・酸化ガリウムの成膜と物性およびMESFET試作評価", 『次世代結晶性半導体におけるナノ成膜ダイナミクスと界面量子効果』、株式会社エヌティーエス、2013/03出版 (Japanese).

[6] 東脇　正高, "近未来情報・通信エコシステムへの展開", 『ワイドギャップ半導体－あけぼのからエコ最前線へ－』、5章 情報・通信エコ技術、pp. 344-349、培風館、2013/01/31 (Japanese).

[5] 東脇　正高, "超高速電子デバイス", 『ワイドギャップ半導体－あけぼのからエコ最前線へ－』、5章 情報・通信エコ技術、pp. 334-344、培風館、2013/01/31 (Japanese).

[4] 東脇　正高, "Ga2O3基板・応用デバイス", 『2013化合物半導体技術大全』、電子ジャーナル、 2編, 7章, 4節, pp. 98-101、2012/12/26出版 (Japanese).

[3] 東脇　正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸, "酸化ガリウムトランジスタ", 月刊機能材料 vol. 32, no. 12, pp. 27-33、2012/11/5 (Japanese).

[2] 東脇　正高, "酸化ガリウム (Ga2O3)トランジスタを世界で初めて実現", 月刊セラミックス vol. 47, no. 5, pp. 379、2012/5/1 (Japanese).

[1] Masataka Higashiwaki, "Gallium oxide trumps traditional wide bandgap semiconductors", Compound Semiconductor 20, pp. 20-23, 2012/6/1.

patent

[7] 東脇正高, 佐々木公平, "Ga2O3系半導体素子", 特願2011-245520 (Japan).

[6] 東脇正高, 佐々木公平, "Ga2O3系半導体素子", 特願2011-196440 (Japan).

[5] 東脇正高, 佐々木公平, 藤田静雄, "Ga2O3系半導体素子", 特願2011-196439 (Japan).

[4] 東脇正高, 佐々木公平, 藤田静雄, "Ga2O3系半導体素子", 特願2011-196438 (Japan).

[3] 東脇正高, 佐々木公平, 藤田静雄, "Ga2O3系半導体素子", 特願2011-196437 (Japan).

[2] 東脇正高, 佐々木公平, 藤田静雄, 大友明, 大島孝仁, "Ga2O3系HEMT", 特願2011-196436 (Japan).

[1] 東脇正高, 佐々木公平, "Ga2O3系半導体素子", 特願2011-196435 (Japan).

press

[1]