| paper |
[8] M. Minohara, K. Horiba, H. Kumigashira, E. Ikenaga, and M. Oshima, "Depth profiling the Potential in perovskite oxide heterojunctions using photoemission spectroscopy", Phys. Rev. B 85, 165108[1-6] (2012). |
[7] M. Oshima, S. Toyoda, K. Horiba, R. Yasuhara and H. Kumigashira, "Synchrotron Radiation Nano-spectroscopy of Dielectrics for LSI and ReRAM", ECS Transactions - Boston, 41 (3) 453-460 (2011). |
[6] E. Sakai, K. Yoshimatsu, K. Shibuya, H. Kumigashira, E. Ikenaga, M. Kawasak, Y. Tokura, and M. Oshima, "Competition between instabilities of Peierls transition and Mott transition in W-doped VO2 thin films", Phys. Rev. B 84, 195132[1-5] (2011). |
[5] T. Yamamoto, R. Yasuhara, I. Ohkubo, H. Kumigashira, and M. Oshima, "Formation of transition layers at metal/perovskite oxide interfaces showing resistive switching behaviors", J. Appl. Phys. 110, 053707[1-7] (2011). |
[4] K. Yoshimatsu, K. Horiba, H. Kumigashira, T. Yoshida, A. Fujimori, and M. Oshima, "Metallic Quantum Well States in Artificial Structures of Strongly Correlated Oxide", Science 333, 319-322 (2011). |
[3] M. Minohara, R. Yasuhara, H. Kumigashira, and M. Oshima, "Termination layer dependence of Schottky barrier height for La0.6Sr0.4MnO3/Nb:SrTiO3 heterojunctions", Phys. Rev. B 81, 235322[1-6] (2010). |
[2] K. Yoshimatsu, T. Okabe, H. Kumigashira, S. Okamato, S. Aizaki, A. Fujimori, and M. Oshima, "Dimensional-Crossover-Driven Metal-Insulator Transition in SrVO3 Ultrathin Films", Phys. Rev. Lett. 104, 147601[1-4] (2010). |
[1] R. Yasuhara, T. Yamamoto, I. Ohkubo, H. Kumigashira, and M. Oshima, "Interfacial chemical states of resistance-switching metal/Pr0.7Ca0.3MnO3 interfaces", Appl. Phys. Lett. 97, 132111[1-3] (2010). |
| presentation |
[9] 並木武史、山本大貴、安原隆太郎、大久保勇男、組頭広志、尾嶋正治, "Al/Pr0.7Ca0.3MnO3 構造ReRAM における素子特性の酸化物膜厚依存性", 2011年春季第５８回応用物理学関係連合講演会 神奈川工科大学 (Japanese, 2011/3/26). |
[8] 山本大貴、安原隆太郎、大久保勇男、組頭広志、尾嶋正治, "Al/La0.6Sr0.4MnO3界面型ReRAMにおける多値スイッチング動作", 2011年春季第５８回応用物理学関係連合講演会 神奈川工科大学 (Japanese, 2011/3/26). |
[7] 中田耕次、並木武史、山本大貴、安原隆太郎、大久保勇男、組頭広志、尾嶋正治, "界面電子状態を制御したAl/Fe3O4 型低環境負荷不揮発メモリの開発", 2011年春季第５８回応用物理学関係連合講演会 神奈川工科大学 (Japanese, 2011/3/24). |
[6] T. Yamamoto, R. Yasuhara, I. Ohkubo, H. Kumigashira, and M. Oshima, "Interfacial redox reactions at Al/perovskite oxide heterojunctions showing resistive switching", 17th International Workshop on Oxide Electronics 淡路夢舞台国際会議場 (2010/9/20). |
[5] 安原隆太郎、山本大貴、大久保勇男、堀場弘司、組頭広志、池永英司、尾嶋正治, "フォーミング過程におけるAl/Pr0.7Ca0.3MnO3界面電子状態変化の観測", 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会 長崎大学 (Japanese, 2010/9/17). |
[4] 山本大貴、安原隆太郎、大久保勇男、組頭広志、尾嶋正治, "金属/伝導性酸化物La0.6Sr0.4MnO3界面における抵抗変化現象", 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会 長崎大学 (Japanese, 2010/9/15). |
[3] 山本大貴、安原隆太郎、大久保勇男、組頭広志、尾嶋正治, "抵抗変化を示すAl/La0.33Sr0.67FeO3界面における電子状態解析", 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会東海大学 (Japanese, 2010/3/10). |
[2] 安原隆太郎、山本大貴、大久保勇男、組頭 広志、尾嶋正治, "電極/Pr0.7Ca0.3MnO3界面電子状態の 電極依存性", 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会東海大学 (Japanese, 2010/3/10). |
[1] 組頭広志, "酸化物の新機能と先端計測・分析技術", 応用物理学会（2012年春季）、早稲田大学スクール講演 (Japanese, 2012/3/15). |
| invited speech |
[6] 組頭広志, "In-situ放射光電子分光による強相関酸化物の表面・界面研究", 日本物理学会（2012年年次大会）、関西学院大学 (Japanese, 2012/3/27). |
[5] Hiroshi KUMIGASHIRA, "Metallic Quantum Well States in Artificial Structures Based on Strongly-Correlated Oxide", 2012 Villa Conference on Complex Oxide Heterostructures (VC-COH), Orlando, FL, US (2012/4/18). |
[4] Hiroshi KUMIGASHIRA, "Metallic Quantum Well States in Artificial Structures Based on Strongly-Correlated Oxide", SPIE Photonics West, Jan. 24 (Jan. 21-26), 2012, Moscone Center, San Francisco, CA, US (2012/1/24). |
[3] Hiroshi KUMIGASHIRA, "Metallic Quantum Well States in Artificial Structures based on Strongly-Correlated Oxide", 18th International Workshop on Oxide Electronics, Napa Valley Marriott Hotel&Spa, CA, US (2011/9/26). |
[2] Hiroshi KUMIGASHIRA, "Metal-insulator transition and two-dimensional electron liquid in SrVO3 ultrathin films", 2011 Villa Conference on Complex Oxide Heterostructures (VC-COH), Las Vegas, Nevada, US (2011/4/22). |
[1] Hiroshi KUMIGASHIRA, "Direct observation of redox reactions in resistance random access memory", 2010 International Technology Roadmap for Semiconductors, Memory Materials Workshop, Tsukuba, Japan (2010/11/30). |
| publications |
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| patent |
[1] |
| press |
[1] 「強相関電子を２次元空間に閉じ込めることに成功―新たな高温超伝導物質の実現や、電子素子作りに道を拓く―」, 2011/7/15, 福井新聞、河北新報、日経産業、日刊工業ほか. |
Hiroshi KUMIGASHIRA
