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Materials and processes for innovative next-generation devices
Research Results
Phase I Phase II Phase III

2007 Researchers

Seiya KASAI Eiji SAITOH Masashi SHIRAISHI
Y.K. TAKAHASHI Tomoyasu TANIYAMA Arata TSUKAMOTO
Naoki FUKATA Shuichi MURAKAMI Takeshi YASUDA
Akinobu YAMAGUCHI Katsunori WAKABAYASHI  

Seiya KASAI

paper
[18] S. F. A. Rahman, S. Kasai, and A. M. Hashim, "Room temperature nonlinear operation of a graphene-based three-branch nanojunction device with chemical doping", Appl. Phys. Lett. vol.100, issue 19, p.193116 (4 pages).
[17] T. Muramatsu, K. Miura, Y. Shiratori, Z. Yatabe, and S. Kasai, "Characterization of Low-Frequency Noise in Etched GaAs Nanowire Field-Effect Transistors Having SiNx Gate Insulator", Jpn. J. Appl. Phys. vol.51, issue 6, art. no. 06FE18 (5 pages) .
[16] K. Miura, Y. Shiratori, and S. Kasai, "Characterization of Low-Frequency Noise in GaAs Nanowire Field-Effect Transistors Controlled by Schottky Wrap Gate", Jpn. J. Appl. Phys. vol.50, issue 6, art. no. 06GF18.
[15] H. Shibata, Y. Shiratori, and S. Kasai, "Novel Nanowire-Based Flip-Flop Circuit Utilizing Gate-Controlled GaAs Three-Branch Nanowire Junctions", Jpn. J. Appl. Phys. vol.50, issue 6, art. no. 06GF03.
[14] S. Kasai, Y. Shiratori, K. Miura, Y. Nakano, and T. Muramatsu, "Control of stochastic resonance response in a GaAs-based nanowire field-effect transistor", physica status solidi (c) (in press).
[13] Y. Shiratori, K. Miura, and S. Kasai, "Programmable nano-switch array using SiN/GaAs interface traps on a GaAs nanowire network for reconfigurable BDD logic circuits", Microelectronic Engineering.
[12] Yasufumi Hakamata, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Seiya Kasai, Koichi Inoue, and Kazuhiko Matsumoto, "Enhancement of weak-signal response based on stochastic resonance in carbon nanotube field-effect transistors", Journal of Applied Physics vol.108 (2010) art. no. 104313 (4pages).
[11] Daisuke Nakata, Hiromu Shibata, Yuta Shiratori, and Seiya Kasai, "Voltage Transfer Characteristics in GaAs-Based Three-Branch Nanowire Junctions Controlled by Schottky Wrap Gates", Japanese Journal of Applied Physics vol.49 (2010) art.no. 06GG03 (5pages).
[10] S. Kasai, K. Miura, Y. Shiratori, "Threshold-variation-enhanced adaptability of response in a nanowire field-effect transistor network", Appl. Phys. Lett. Vol.96, Issue 19, article no. 194102 (3 pages).
[9] Yuta Shiratori, Kensuke Miura, Rui Jia, Nan-Jian Wu, and Seiya Kasai, "Compact Reconfigurable Binary-Decision-Diagram Logic Circuit on a GaAs Nanowire Network", Appl. Phys. Exp. vol.3, no.2, art. no. 025002 (3 pages).
[8] Shaharin Fadzli Bin Abd Rahman, Daisuke Nakata, Yuta Shiratori, Seiya Kasai, "Boolean Logic Gates Utilizing GaAs Three-branch Nanowire Junctions Controlled by Schottky Wrap Gates", Jpn. J. Appl. Phys. vol48, no.6, article number. 06FD01 (4pages)
[7] H.Q. Zhao, S. Kasai, Y. Shiratori and T. Hashizume, "A binary-decision-diagram-based two-bit arithmetic logic unit on a GaAs-based regular nanowire network with hexagonal topology", Nanotechnology, vol.20 no.24, 2009, art.no.245203
[6] S.Kasai, "Investigation on Stochastic Resonance in A Quantum Dot and Its Summing Network", International Journal of Nanotechnology and Molecular Computation, vol.1 (2), p.70 (2009)
[5] S.Kasai and T.Asai, "Stochastic Resonance in Schottky Wrap Gate-controlled GaAs Nanowire Field Effect Transistors and Their Networks", Applied Physics Express, Vol.1(2008), No.8, Article No.:083001
[4] Hong-Quan Zhao, Seiya Kasai, and Tamotsu Hashizume, "2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implementation of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network", IEICE Technical Report Vol.108, No.121, pp139-144(2008)(2008/7/9)
[3] Hong-Quan Zhao, Seiya Kasai, Tamotsu Hashizume, and Nan-Jian Wu, "Fabrication and characterization of active and sequential circuits utilizing Schottky-Wrap-gate-controlled GaAs hexagonal nanowire network structures", 'IEICE Transaction Electronics C vol. E91-C, No. 7, Jul., 2008, pp.1063-1069
[2] Seiya Kasai, Tatsuya Nakamura, Shaharin Fadzli Bin abd Rahman, Yuta Shiratori, "Study on Nonlinear Electrical Characteristics of GaAs-based Three-branch Nanowire Junctions Controlled by Schottky Wrap Gates", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 47, No. 6B, 2008, pp.4958-4964
[1] Yuta Shiratori and Seiya Kasai, "Effect of Size Reduction on Switching Characteristics in GaAs-Based Schottky-Wrap-Gate Quantum Wire Transistors", Japanese Journal of Applied Physics, vol. 47, no. 4, 2008, pp.3086-3090
presentation
[87] 殷翔、ファズリ シャハリン、葛西誠也, "グラフェン3分岐ナノ接合デバイスの試作とインバータ応用の検討", 第73回応用物理学会学術講演会、松山 (Japanese, 2012/9/11-14).
[86] 佐藤将来、葛西誠也, "光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形特性評価", 第73回応用物理学会学術講演会、松山 (Japanese, 2012/9/11-14).
[85] 今井裕理、葛西誠也, "確率共鳴を利用した生体信号検出ナノデバイスの検討", 第73回応用物理学会学術講演会、松山 (Japanese, 2012/9/11-14).
[84] 黒田亮太、田中貴之、佐藤将来、葛西誠也, "GaAsナノワイヤFET集積しきい値論理回路の試作と評価", 第73回応用物理学会学術講演会、松山 (Japanese, 2012/9/11-14).
[83] 佐藤将来、村松徹、葛西誠也, "光照射局所コンダクタンス変調法によるGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイス非線形伝達特性の評価", 2012年電子情報通信学会総合大会、岡山 (Japanese, 2012/3/20-23).
[82] 田所幸浩、一木輝久、葛西誠也, "経路長変調ネットワークによる確率共鳴現象の効果改善", 2012年電子情報通信学会総合大会、岡山 (Japanese, 2012/3/20-23).
[81] 殷翔、シャハリン ファズリ,葛西誠也, "グラフェン3分岐ナノ接合デバイスとインバータ回路応用の検討", 第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学 (Japanese, 2012/3/15-18).
[80] 葛西誠也、田所幸浩、田中貴之、今井裕理、一木輝久, "GaAs ナノワイヤ FET 経路長変調ネットワークにおける確率共鳴", 第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学 (Japanese, 2012/3/15-18).
[79] 田所幸浩、葛西誠也、一木輝久, "遅延ネットワーク系確率共鳴による微弱信号検出性能の改善", 第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学 (Japanese, 2012/3/15-18).
[78] 中野雄紀、田中貴之、葛西誠也, "GaAsナノワイヤCCDの電荷転送効率の評価", 第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学 (Japanese, 2012/3/15-18).
[77] 田中貴之、中野雄紀、村松徹、葛西誠也, "電子ブラウンラチェットに向けた非対称ゲートナノワイヤ素子の試作と評価", 第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学 (Japanese, 2012/3/15-18).
[76] 村松徹、三浦健輔、谷田部然治、葛西誠也, "窒化Si絶縁ゲートエッチングGaAsナノワイヤFETの低周波雑音特性の解析", 第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学 (Japanese, 2012/3/15-18).
[75] 田中貴之、葛西誠也, "電子的ブラウンラチェット機能実現に向けた非対称ゲート素子の作製と評価", 第47回応用物理学会北海道支部/第8回日本光学会北海道地区合同学術講演会、札幌 (Japanese, 2012/1/6-7).
[74] 中野雄紀,田中貴之,葛西誠也, "ラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの電荷転送動作の検討", 第72回応用物理学会学術講演会、山形 (Japanese, 2011/8/29-9/2).
[73] 佐藤将来,三浦健輔,村松徹,葛西誠也, "光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの評価", 第72回応用物理学会学術講演会、山形 (Japanese, 2011/8/29-9/2).
[72] 田所幸浩、葛西誠也、一木輝久, "確率共鳴を応用した経路長変調ネットワーク系の有色雑音環境での考察", 電子情報通信学会非線形問題研究会、鹿児島 (Japanese, 2012/7/5-6).
[71] 佐藤将来、村松徹、葛西誠也, "光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討", 電子情報通信学会電子デバイス・シリコン材料デバイス合同研究会、札幌 (Japanese, 2012/2/7-8).
[70] 村松徹、葛西誠也、谷田部然冶, "SiN絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音の評価と", 電子情報通信学会電子デバイス・シリコン材料デバイス合同研究会、札幌 (Japanese, 2012/2/7-8).
[69] 村松徹、三浦健輔、白鳥悠太、葛西誠也, "SiNx絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価", 電子情報通信学会電子デバイス研究会、長岡 (Japanese, 2011/7/29-30).
[68] Y. Nakano, T. Tanaka, and S. Kasai, "Dynamic Charge Transfer Characteristics of a GaAs-based Nanowire CCD", 2012 RCIQE International Workshop for Green Electronics, Sapporo, Japan (March 5-6, 2012).
[67] Y. Nakano, T. Tanaka, and S. Kasai, "GaAs Nanowire Charge-Coupled Device for Synchronized Signal Transfer in A Nanowire Network", International Workshop on Quantum Nanostructures and Nanoelectronics (QNN2011), Tokyo, Japan (Oct. 3-4, 2011).
[66] S. Kasai, Y. Shiratori and K. Miura, "Analysis on Dynamic Behavior of Thermally Driven Single-electron Stochastic Resonance", 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2011), Kyoto, Japan (Nov. 9-12, 2011).
[65] T. Muramatsu, K. Miura, Y. Shiratori and S. Kasai, "Low-frequency Noise in GaAs Nanowire MISFETs having SiNx Gate Insulator", 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2011), Kyoto, Japan (Nov. 9-12, 2011).
[64] S. Kasai, Y. Tadokoro, A. Ichiki, Y. Shiratori, and K. Miura, "Noise-Color Dependence of Stochastic Resonance in a GaAs-Based Nanowire FET Network", 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011), Gifu, Japan (August 28 - 31, 2011).
[63] 村松 徹,三浦健輔,白鳥悠太,葛西誠也, "SiNx絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価", 第58回応用物理学関係連合講演会 (Japanese, 2011/3/24-27).
[62] 中野雄紀,三浦健輔,白鳥悠太,葛西誠也, "WPG制御GaAsナノワイヤCCDの電荷転送動作", 第58回応用物理学関係連合講演会 (Japanese, 2011/3/24-27).
[61] 柴田啓・白鳥悠太・葛西誠也, "ラップゲート制御GaAsナノワイヤ 3 分岐接合を用いた高集積フリップフロップ回路の試作と評価", 2011年電子情報通信学会総合大会 (Japanese, 2011/3/14-17).
[60] 三浦健輔・白鳥悠太・村松徹・葛西誠也, "ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性", 2011年電子情報通信学会総合大会 (Japanese, 2011/3/14-17).
[59] 葛西誠也, "雑音共存確率共鳴トランジスタ(チュートリアル講演)", 2011年電子情報通信学会総合大会 (Japanese, 2011/3/14-17).
[58] 葛西誠也,白鳥悠太,三浦健輔,中野雄紀, "量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴", 電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会 (Japanese, 2011/2/23-24).
[57] 中野雄紀,三浦健輔,白鳥悠太,葛西 誠也, "ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討", 電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会 (Japanese, 2011/2/23-24).
[56] 村松徹, 三浦健輔, 白鳥 悠太, 葛西誠也, "SiNx 絶縁ゲート GaAs ナノワイヤ FET における低周波雑音の構造サイズ依存性", 第46回応用物理学会北海道支部/第7回日本光学会北海道地区 合同学術講演会 (Japanese, 2011/1/7-8).
[55] H. Shibata, Y. Shiratori and S. Kasai, "Fabrication of a Nanowire-based Flip-fop Circuit using Gate-controlled GaAs Three-branch Nanowire Junctions", 23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference, Fukuoka, Japan (2010/11/9-12).
[54] K. Miura, Y. Shiratori, and S. Kasai, "Low-frequency Noise in GaAs Nanowire FETs controlled by Schottky Wrap Gate", 23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference, Fukuoka, Japan (2010/11/9-12).
[53] Yuta Shiratori, Kensuke Miura, and Seiya Kasai, "Fabrication of programmable nano switch arrays on GaAs nanowire networks for reconfigurable BDD logic circuits", 36th international conference on micro & nano engineering (2010/9/16-22).
[52] 中野雄紀, 三浦健輔, 白鳥悠太, 葛西誠也, "GaAsナノワイヤCCDの試作と評価", 第71回応用物理学会学術講演会 (Japanese, 2010/9/14-17).
[51] 葛西誠也、白鳥悠太, "確率共鳴を利用した新しい情報処理のためのナノデバイスと集積化", 第71回応用物理学会学術講演会 (Japanese, 2010/9/14-17).
[50] 葛西誠也,白鳥悠太,三浦健輔,中野雄紀, "しきい値分散ナノワイヤFETネットワークにおける確率共鳴", 第71回応用物理学会学術講演会 (Japanese, 2010/9/14-17).
[49] 村松徹,三浦健輔,葛西誠也, "SiNx絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETの雑音特性", 第71回応用物理学会学術講演会 (Japanese, 2010/9/14-17).
[48] 三浦健輔,白鳥悠太,葛西誠也, "GaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音の構造サイズ依存性", 第71回応用物理学会学術講演会 (Japanese, 2010/9/14-17).
[47] 葛西誠也, 三浦健輔, 白鳥悠太, "GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討", 電子情報通信学会電子デバイス研究会「センサデバイス、MEMS、一般」 (Japanese, 2010/9/13).
[46] S. Kasai, Y. Shiratori, K. Miura, H. Shibata, Y. Nakano, T. Muramatsu, "THz Wave Detection by Gate-controlled GaAs Nanowire Devices", The 15th optoelectronics and communications conference (OECC2010) (2010/7/5-9).
[45] 葛西誠也,白鳥悠太,三浦健輔, "GaAsナノワイヤFETにおける確率共鳴と適応性", 第57回応用物理学関係連合講演会 (Japanese, 2010/3/17-20).
[44] 三浦健輔,白鳥悠太,葛西誠也, "ウエットエッチングにより形成したGaAsナノワイヤの雑音特性", 第57回応用物理学関係連合講演会 (Japanese, 2010/3/17-20).
[43] 袴田靖文,大野恭秀,前橋兼三,井上恒一,松本和彦,葛西誠也, "確率共鳴カーボンナノチューブ電解効果トランジスタ", 第57回応用物理学関係連合講演会 (Japanese, 2010/3/17-20).
[42] 白鳥悠太,三浦健輔,葛西誠也, "2D hypercube型GaAsナノワイヤネットワークを用いた再構成可能BDD論理回路", 第57回応用物理学関係連合講演会 (Japanese, 2010/3/17-20).
[41] 柴田啓,中田大輔,白鳥悠太,葛西誠也, "GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスを用いたフリップフロップ回路の試作", 第57回応用物理学関係連合講演会 (Japanese, 2010/3/17-20).
[40] 中田大輔,柴田啓,白鳥悠太,葛西誠也, "ゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイス非線形特性の解析", 第57回応用物理学関係連合講演会 (Japanese, 2010/3/17-20).
[39] Seiya Kasai, Yuta Shiratoria, Kensuke Miuraa, Yuki Nakanoa, Toru Muramatsua, "Control of Stochastic Resonance in GaAs-based Nanowire FETs", The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010).
[38] Y. Shiratori, K. Miura, and S. Kasai, "Characteristics of Reconfigurable BDD Logic Circuits using GaAs Nanowire Network", 2010 International RCIQE/CREST Joint Workshop (2010/3/1-2).
[37] S. Kasai, "Fluctuation-enhanced response in nanowire-based electron devices and their networks", 2010 International RCIQE/CREST Joint Workshop (2010/3/1-2).
[36] 葛西誠也,白鳥悠太,三浦健輔、「GaAsナノワイヤFETにおける確率共鳴と適応性」、第57回 応用物理学関係連合講演会(Japanese, 2010/3/17-20)
[35] 三浦健輔,白鳥悠太,葛西誠也、「ウエットエッチングにより形成したGaAsナノワイヤの雑音特性」、第57回 応用物理学関係連合講演会(Japanese, 2010/3/17-20)
[34] 白鳥悠太,三浦健輔,葛西誠也、「2D hypercube型GaAsナノワイヤネットワークを用いた再構成可能BDD論理回路」、第57回 応用物理学関係連合講演会(Japanese, 2010/3/17-20)
[33] 柴田啓,中田大輔,白鳥悠太,葛西誠也、「GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスを用いたフリップフロップ回路の試作」、第57回 応用物理学関係連合講演会(Japanese, 2010/3/17-20)
[32] 中田大輔,柴田啓,白鳥悠太,葛西誠也、「ゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイス非線形特性の解析」、第57回 応用物理学関係連合講演会(Japanese, 2010/3/17-20)
[31] 柴田啓,中田大輔,白鳥悠太,葛西誠也、「ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作」、電子情報通信学会電子デバイス・シリコン材料デバイス合同研究会(Japanese, 2010/2/22-23)
[30] 白鳥悠太,三浦健輔,葛西誠也、「GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討」、電子情報通信学会電子デバイス・シリコン材料デバイス合同研究会(Japanese, 2010/2/22-23)
[29] 葛西誠也,白鳥悠太,三浦健輔、「量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析」、電子情報通信学会電子デバイス・シリコン材料デバイス合同研究会(Japanese, 2010/2/22-23)
[28] S. Kasai, "Stochastic Resonance in Nanodevice Parallel Systems", 2009 International Symposium on Intelligent Signal Processing and Communication Systems (ISPACS 2009), (2009/12/7-9)
[27] Shaharin Fadzli Abd Rahman, Daisuke Nakata, Yuta Shiratori, and Seiya Kasai, "Logic Gates Utilizing Schottky Gate-Controlled Three-Branch GaAs Nanowire Junctions", ESciNano Annual Symposium 2009, (2009/11/30-12/1)
[26] D. Nakata, H. Shibata, Y. Shiratori and S. Kasai, "Analysis on Voltage-Transfer Characteristics In GaAs-Based Three -Branch Nanowire Junctions controlled by Schottky Wrap Gates", International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2009), (2009/11/26-29)
[25] 三浦健輔, 白鳥悠太, 葛西誠也、”再構成BDD論理回路のための強誘電体薄膜を用いたGaAsナノワイヤネットワーク導通制御と状態保持の検討”、平成21年度電気・情報関係学会北海道支部連合大会 (Japanese, 2009/10/17-18)
[24] Y. Shiratori, K. Miura and S. Kasai, "Design and Fabrication of BDD-based Reconfigurable Logic Circuit on GaAs Nanowire Network", 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2009, 2009/10/7-9)
[23] 白鳥悠太,三浦健輔,中田大輔,葛西誠也、”半導体ナノワイヤネットワークを主体とした再構成可能BDD論理回路の試作と機能実証”、第70回応用物理学会学術講演会 (Japanese, 2009/9/8-11)
[22] 葛西誠也、白鳥悠太、三浦健輔、”量子ドットにおける単電子確率共鳴の系パラメータ依存性”、第70回応用物理学会学術講演会 (Japanese, 2009/9/8-11)
[21] S. Kasai, Y. Shiratori and K. Miura, "BDD-based Reconfigurable Logic Circuit on Nanowire Network", 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2009, 2009/8/26-29)
[20] S. Kasai, T. Asai, Y. Shiratori and D. Nakata, "Stochastic Resonance in GaAs-based Nanowire Field-Effect Transistors and Their Summing Network ", 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2009), (2009/6/24-26)
[19] W.-C. Zhang, N.-J. Wu, S. Kasai and T. Hashizume, "Multiple-valued Logic Gates using Asymmetric Single-electron Transistors", 39th International Symposium on Multiple-Valued Logic, (2009/5/21)
[18] S. Kasai, Y. Shiratori, K. Miura, and N.-J. Wu, "Multi-path switching device utilizing a multi-terminal nanowire junction for MDD-based logic circuit", 39th International Symposium on Multiple-Valued Logic, (2009/5/21)
[17] 葛西誠也, 浅井哲也, "量子ドットネットワークにおける単電子確率共鳴の解析", 第56回応用物理学関係連合講演会, (Japanese, 2009/4/1)
[16] A. R. Shaharin Fadzli, D. Nakata, Y. Shiratori, and S. Kasai, "Realization of Boolean Logic Gates Based on GaAs Three-branch Nanowire Junctions Controlled by Schottky Wrap Gates", 21st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (2008/10/28)
[15] 葛西誠也, 浅井哲也, 白鳥悠太, 趙洪泉、「GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析《、電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会 (Japanese, 2009/2/27)
[14] A.R. シャハリンファズリ, 中田大輔, 白鳥悠太, 葛西誠也, "ラップゲート制御GaAs 系3分岐ナノワイヤ接合による新規論理ゲートの試作と評価", 第44 回 応用物理学会北海道支部 第5 回 日本光学会北海道地区 合同学術講演 (Japanese, 2009/1/9)
[13] S. Kasai, "Design?and?Implementation?of?Functional?Nanodevices?and Integrated?Circuits on?Gate Controlled?GaAs?Nanowires?and?Their?Networks", NSFC-JSPS Joint Research Project Symposium on "Novel-Function Nano-Integrated Circuits Based on Semiconductor low Dimensional Structures" (2008/11/27)
[12] S.Kasai and T.Asai, "Stochastic Resonance in GaAs-based Nanowire FETs and Enhanced Signal Detection by Noise", IEICE Society Conference(2008/9/18)
[11] Y.Shiratori, A.R.Shaharin Fazli, D.Nakata, and S.Kasai, "Investigation on Nanowire Network Conduction Control and Preservation for Realization of Reconfigurable BDD Logic Circuits", JSAP the 69th Autumn Meeting (oral, Japanese)(2008/9/4)
[10] Seiya Kasai and Tetsuya Asai, "Observation of Stochastic Resonance in Schottky Wrap Gate GaAs-based Nanowire-FET Networks", JSAP the 69th Autumn Meeting (oral, Japanese)(2008/9/4)
[9] Hong-Quan Zhao, Seiya Kasai, and Tamotsu Hashizume, "2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implementation of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network", 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2008) (2008/7/9-11)
[8] Yuta Shiratori, Shaharin Fadzli abd Rahman, Seiya Kasai, "Impact of Size Reduction on Switching Characteristics in GaAs-Based Schottky-Wrap-Gate Controlled Quantum Wire Transistors", 2008RCIQE International Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices" (2008/3/3)
[7] Seiya Kasai, Yuta Shiratori, Shaharin Fadzli Abd Rahman, and Hong-Quan Zhao, "GaAs-nanowire-network-based Functional Devices for Information Processing", 2008RCIQE International Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices" (2008/3/3)
[6] S. Kasai, Y. Shiratori, S. Yanushkevich, "A Multiple-valued Decision Diagram Device Utilizing GaAs-based Nanowire Junction and Size-Controlled Wrap Gates", JSAP the Spring Meeting(oral, Japanese)(2008/3/27)
[5] Y. Shiratori, A. R. Shaharin Fadzli, and S. Kasai, "Correlation between Switching Characteristics and Size Reduction in GaAs-based Schottky-Wrap-Gate Quantum Wire Transistors (2)", JSAP the Spring Meeting(oral, Japanese)(2008/3/27)
[4] A. R. Shaharin Fadzli, Y. Shiratori, and S. Kasai, "Control of Nonlinear Characteristics in GaAs-based Three-terminal Nanowire Junction Devices by Schottky Wrap Gates", JSAP the Spring Meeting(oral, Japanese)(2008/3/27)
[3] Seiya KASAI, Hong-Quan ZHAO and Tamotsu HASHIZUME, "Implementation of Active and Sequential Circuits on GaAs-based Nanowire Network Structures Controlled by Schottky Wrap Gates", the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers (oral, Japanese)(2008/1/31)
[2] Shaharin Fadzli Abd RAHMAN, Yuta SHIRATORI and Seiya KASAI, "Control of Nonlinear Characteristics in GaAs-based Three- terminal Nanowire Junction Devices and Its Application to Logic Gates", the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers (oral, Japanese)(2008/1/30)
[1] Seiya Kasai, Tatsuya Nakamura, Shaharin Fadzli Bin Abd Rahman, and Yuta Shiratori, "Study on Nonlinear Electrical Characteristics in GaAs-based Three-branch Nanowire Junctions Controlled by Schottky Wrap Gates", 20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2007)(2007/11/8)
invited speech
[13] 葛西誠也, "雑音のもとで動作する確率共鳴デバイス", 電子情報通信学会電子デバイス研究会特別ワークショップ、秋葉原 (Japanese, 2012/3/2).
[12] S. Kasai, "Electronic Stochastic Resonance in Semiconductor Nanodevices and Their Networks", 2012 RCIQE International Workshop for Green Electronics, Sapporo, Japan (March 5-6, 2012).
[11] S. Kasai, M. Sato, T. Tanaka, X. Yin, R. Kuroda, Y. Imai, "Nonlinear Behaviors in III-V Semiconductor Nanowires and Their Application to Information Detection and Processing", The First International Workshop on Information Physics and Computing in Nano-scale Photonics and Materials (IPCN), University of Orléans, France (2012/9/7).
[10] S. Kasai, S. F. A. Rahman, M. Sato, X. Yin, and T. Maemoto, "Nonlinear Three Branch Nano-Junction Devices and Their Application to Logic Circuits", 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012), Naha, Japan (June 27 - 29, 2012).
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[7] 葛西誠也, "確率共鳴の電子的利用を可能にする半導体ナノデバイス技術", 第58回応用物理学関係連合講演会 (Japanese, 2011/3/24-27).
[6] S. Kasai, "Stochastic Resonance Nanodevices Toward Fluctuation Cooperative Nanoelectronics", 2010 International Conference on Enabling Science and Nanotechnology (2010/12/1-3).
[5] 葛西誠也, "半導体ナノデバイスによる確率共鳴の発現と電子的応用に向けた技術開拓", 国際高等研究所「単分子エレクトロニクスの現状認識と近未来実現へ向けての中核体制構築」2010 年度第 2 回研究会 (Japanese, 2010/10/22-23).
[4] 葛西誠也, "ナノワイヤFETネットワークにおける確率共鳴", 大阪大学産業科学研究所産業科学ナノテクノロジーセンター第2回「若手セミナー」(Japanese, 2010/8/6-7).
[3] 葛西誠也, "半導体ナノワイヤネットワークと情報処理機能", 第26回ナノフォトニクス総合的展開オープンセミナー (Japanese, 2010/6/10).
[2] Seiya Kasai, "Functional Electron Nanodevices and Their Integrated Circuits on Semiconductor Nanowire Networks", ESciNano Annual Symposium 2009, (2009/11/30-12/1)
[1] S. Kasai, "Stochastic Resonance Nanodevices for Fluctuation-Robust Electronic Systems", The Seventeenth Annual International Conference on COMPOSITES/NANO ENGINEERING (ICCE-17), (2009/7/26-8/1)
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[3] 葛西誠也、「ゆらぎや雑音と共存可能な新しい集積ナノデバイス(解説)」、計測と制御 vol49, No.4, pp.229-235 (Japanese).
[2] Seiya KASAI, Hong-Quan ZHAO and Tamotsu HASHIZUME, "Implementation of Active and Sequential Circuits on GaAs-based Nanowire Network Structures Controlled by Schottky Wrap Gates", Technical Report of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers (Japanese)(2008/1/30)
[1] Shaharin Fadzli Abd RAHMAN, Yuta SHIRATORI and Seiya KASAI, "Control of Nonlinear Characteristics in GaAs-based Three- terminal Nanowire Junction Devices and Its Application to Logic Gates", Technical Report of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers (Japanese)(2008/1/30)
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[6] 田所幸浩、一木輝久、葛西誠也, "信号再生装置及び信号再生方法", 2011-282505 (Japan).
[5] 葛西誠也, "論理回路", 2011-232085 (Japan).
[4] 葛西誠也, "信号再生装置", 12/920091.
[3] 葛西誠也, "信号再生装置", PCT/JP2008/065758.
[2] 葛西誠也, "信号再生装置", 特開2009-212551 (Japan)
[1] 葛西誠也, "信号再生装置", 特願2009-271659 (Japan)
press
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