超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製

1.研究領域の概要

この研究領域は、従来のデバイス・システムに対して、ナノスケールの超微細構造形成技術や革新的ナノプロセス、および超集積化技術を活用することにより、これまでの情報処理や通信システムの性能を飛躍的に高めるデバイス・システムの創製に係わる研究を対象とするものである。
具体的には、情報伝達の超高速化や広帯域化と超省電力化に向けた新規デバイスの構造・材料に係わる研究、極微デバイスが直面する限界に挑戦する革新的なナノ素材やナノプロセスの研究、極微デバイスにおける物理機構の解明と制御に係わる研究、超微細構造の活用により従来の光デバイスの性能を凌駕する新しいナノ構造フォトニクスデバイスの創製に係わる研究、および、これらの関連研究等が含まれている。

2.CREST研究領域追跡評価の概要

2-1.評価報告書

「超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製」追跡評価報告書

2-2.評価委員

◎平本 俊郎 東京大学生産技術研究所情報・エレクトロニクス部門 教授
伊藤 公平  慶應義塾大学理工学部物理情報工学科 教授
馬場 俊彦  横浜国立大学大学院工学研究院知的構造の創生部門 教授
木村 紳一郎 超低電圧デバイス技術研究組合超低電圧デバイスプロジェクト 副プロジェクトリーダー
◎は委員長

2-3.追跡評価用資料

「超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製」追跡評価用資料

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