この研究領域は、半導体ロードマップ戦略に基づく技術進化の飽和を超越することを目的として、微細化パラダイムのみでは実現できない機能・性能を持つ、革新的且つ実用化可能なエレクトロニクスデバイスを創製するための材料・構造の開発及びプロセス開発を行う研究を対象とします。
具体的には、新しい原理により消費電力の増大、製造コストの巨額化といった実用上の問題を解決するための高集積情報処理デバイス、有機物を含め異種材料や技術の融合により新機能・高性能を発揮するデバイス、及びそれらを可能にするプロセス研究、また従来にない斬新なアプリケーションを切り拓く研究等が含まれます。
本研究領域では、材料・プロセスの特性・機構解明に留まらず、実用技術に発展することが十分見込まれる研究を推進します。
戦略的創造研究推進事業・CRESTにおける事後評価の目的、方法、評価項目及び基準に沿って実施した。
平成22年6月10日(木曜日)
渡辺 久恒 | (株)半導体先端テクノロジーズ 代表取締役社長 |
石原 宏 | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 教授 |
大泊 巌 | 早稲田大学 名誉教授 |
大野 英男 | 東北大学 電気通信研究所 教授 |
財満 鎭明 | 名古屋大学 大学院工学研究科 教授 |
前口 賢二 | 半導体産業研究所 所長 |
百瀬 寿代 | 株式会社東芝 半導体研究開発センター 主務 |
和田 敏美 | 技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構(FUPET) 専務理事 |