研究領域「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」中間評価（課題評価）結果

１．研究領域の概要

　この研究領域は、半導体ロードマップ戦略に基づく技術進化の飽和を超越することを目的として、微細化パラダイムのみでは実現できない機能・性能を持つ、革新的且つ実用化可能なエレクトロニクスデバイスを創製するための材料・構造の開発及びプロセス開発を行う研究を対象とします。
　具体的には、新しい原理により消費電力の増大、製造コストの巨額化といった実用上の問題を解決するための高集積情報処理デバイス、有機物を含め異種材料や技術の融合により新機能・高性能を発揮するデバイス、及びそれらを可能にするプロセス研究、また従来にない斬新なアプリケーションを切り拓く研究等が含まれます。
　本研究領域では、材料・プロセスの特性・機構解明に留まらず、実用技術に発展することが十分見込まれる研究を推進します。

２．中間評価の概要

２−１．評価の目的、方法、評価項目及び基準

　戦略的創造研究推進事業・CRESTにおける中間評価の目的、方法、評価項目及び基準に沿って実施した。

２−２．評価対象研究代表者及び研究課題

平成２０年度採択研究課題

（１）　遠藤　哲郎　（東北大学学際科学国際高等研究センター　教授）
縦型ボディーチャネルMOSFETとその集積プロセスの開発　（118KB）

（２）　木下　博雄　（兵庫県立大学高度産業科学技術研究所　教授）
コヒーレントEUV光を用いた極微パタン構造計測技術の開発　（107KB）

（３）　鳥海　明　（東京大学大学院工学系研究科　教授）
Ge High-k CMOSに向けた固相界面の理解と制御技術の開発　（125KB）

（４）　前川　禎通　（（独）日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター　センター長）
数値シミュレーションによる新材料・新機能の開発　（109KB）

（５）　松井　真二　（兵庫県立大学高度産業科学技術研究所　教授）
超高速ナノインプリントリソグラフィ技術のプロセス科学と制御技術の開発　（126KB）

２−３．中間評価会の実施時期

　平成２３年１０月１４日（金）

２−４．評価者