研究領域「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」中間評価（課題評価）結果

１．研究領域の概要

　この研究領域は、半導体ロードマップ戦略に基づく技術進化の飽和を超越することを目的として、微細化パラダイムのみでは実現できない機能・性能を持つ、革新的且つ実用化可能なエレクトロニクスデバイスを創製するための材料・構造の開発及びプロセス開発を行う研究を対象とします。
　具体的には、新しい原理により消費電力の増大、製造コストの巨額化といった実用上の問題を解決するための高集積情報処理デバイス、有機物を含め異種材料や技術の融合により新機能・高性能を発揮するデバイス、及びそれらを可能にするプロセス研究、また従来にない斬新なアプリケーションを切り拓く研究等が含まれます。
　本研究領域では、材料・プロセスの特性・機構解明に留まらず、実用技術に発展することが十分見込まれる研究を推進します。

２．中間評価の概要

２−１．評価の目的、方法、評価項目及び基準

　戦略的創造研究推進事業・CRESTにおける中間評価の目的、方法、評価項目及び基準に沿って実施した。

２−２．評価対象研究代表者及び研究課題

平成１９年度採択研究課題

（１）　秋永　広幸　（(独) 産業技術総合研究所　副研究センター長）
機能性酸化物を用いた界面相転移スイッチングデバイスの開発　（136KB）

（２）　尾辻　泰一　（東北大学電気通信研究所　教授）
グラフェン･オン･シリコン材料・デバイス技術の開発 　（121KB）

（３）　佐々木　孝友　（大阪大学光科学センター　特任教授）
真空紫外レーザー光発生用非線形光学結晶の開発　（132KB）

（４）　菅原　聡　（東京工業大学大学院理工学研究科 准教授）
ハーフメタル強磁性体を用いたスピン機能MOSFETの開発　（108KB）

（５）　田川　精一　（大阪大学産業科学研究所　特任教授）
極微細加工用レジスト研究とプロセスシミュレーターの開発　（116KB）

２−３．中間評価会の実施時期

　平成２２年１１月１２日（金曜日）

２−４．評価者